Laytec-薄膜应用的原位监视传感器

Laytec成立于1999年10月，迅速成为复合半导体过程监测仪器的市场领导者，尤其是用于LED生产的市场领导者。在MOVCD和MBE期间，Laytec计量学以极高的精度直接访问所有关键的外延生长特性！因此，Laytec的计量学成为新技术和设备的关键因素，特别是在正在进行的固态革命中。

自2009年以来，有一类Laytec产品在市场上：高级内部计量学，特别针对大区域沉积技术（例如无定形，多晶和有机薄膜）设计和优化。

实时控制沉积过程的能力提供了很高的好处：迅速确定并纠正了异常，加速开发周期，将既定流程的转移和升级为新线路得到促进，并在维护后很容易重新建立条件。这一切加起来增加了收益和降低的成本。

* Pyro 400提供了专门针对红外透明基板（SAPPHIRE，SIC）的GAN的真实晶圆表面温度的访问，其中Instra-Red-RED高温法仅测量底物表面温度。

Epitt和Epitwin TT - LED生产的计量工具家族

这些计量系统是专门设计的，是一种生产工具，可在基于氮化物的LED和激光生产过程中最大化晶片产量。它们具有基于增形测定法和反射率测量的组合的发射率校正的温度测量。第二个反射率波长用于同时的生长速率测量。随附的软件提供晶圆和区域选择性测量以及其他分析选项。EPITT适用于每个薄膜沉积室，该沉积室具有光学访问晶片表面的访问。Epitwin TT具有两个光头，用于在双环生产反应堆配置中的两个独立位置进行测量。同期TT和Epiquatro TT使用三个或四个环的晶圆，为更大的系统提供了三个或四个光头。

Pyro 400 - 直接GAN表面温度测量的原位高温计

到目前为止，研究人员和操作员必须使用常规的红外高温测定法以下蓝宝石或sic晶片下方的感受器温度检测到足以使人温度被称为袖珍温度。在红外波长时，晶圆和层是透明的，因此它们的表面温度是不可测量的。大晶片的弓效应在晶圆的直径上引起急剧的温度偏差。温度与口袋和晶圆之间距离的增加直接相关。晶圆越大，晶片表面温度和口袋温度之间的局部偏差越大。

使用常规红外启动子，这些偏差仍未被发现。通过检测400 nm的光，直接以高精度测量GAN层的表面温度。晶圆的整个直径收集的数据创造了由弓箭效应引起的表面温度变化的完整特征。这些温度差异是活动层结构中不均匀性的原因。简而言之，Pyro 400为您提供了必要的见解，以调节整个晶圆表面的温度并最大程度地提高收率。

epicurve®TT家族用于晶圆，温度和生长速率控制

epicurve®TT提供了优化产量并最大程度地减少与弓形相关的不均匀性所需的所有参数，基于GAAS/GE基于GAAS/GE的太阳能电池，季度材料和许多其他应用。亚博网站下载它包括Epitt的所有特征，此外还包括晶圆弓，膜组成，表面形态和其他参数。先进的工具可在两个正交方向测量的双面抛光和图案化底物（Epicurve®TTAR）上对非相应方向的非球弓进行监测。多头配置Epicurve®TwinTT和Epicurve®TripleTT专门设计用于多个环反应器。单独的紧凑型光学Epitt头对每个环上的个体温度和反射率测量。