当今世界半导体产业沿三重任务运行:减少芯片大小、提高计算力和控制密布电路
为了满足这些需求,业界应超越硅生产适合扩大计算范围的设备
亚博网站下载技术部门不太可能很快或在不久的将来完全替换当前占主导地位的材料,但芯片材料和设计需要创新改进增强功能对满足计算技术不断变化的需求十分必要
硅的一个主要缺陷是不能变薄,因为它的物质特性限于三大维二维半导体-薄到几乎没有高度-结果成为工程师、研究人员和微电子制造厂商感兴趣的对象
薄片组件对设备电流提供巨大控制精度,同时减少电源所需能量量2D半导体加起来将芯片表面积最小化,躺在薄膜上辅助硅设备
然而,到目前为止,为制作这种材料而采取的措施一直没有成功。
约2D半导体显示良好的个人性能,但需要极高温度沉降,这可能损害底层硅芯片另一些则可沉积温度与硅兼容,但其电子特性,如能效、速度和精度等均低耗一些人满足温度和性能标准,但达不到行业标准尺寸的必要纯度
科学家们亚博老虎机网登录宾夕法尼亚大学工程应用学院高性能二维半导体发展成全尺寸工业级瓦单片半导体材料可沉积温度低到可与硅芯片并发
Deep Jariwala副教授Peter和Susanne Armstrong电气系统工程系和ESE后科研究员Seunguk Song主管研究,最近报告见ESE事端.
半导体制造是一个工业规模制造过程.不可使用素材 除非你能用工业级卷轴制作越多芯片批量制作 价格越低材料必须纯洁以确保性能正因如此硅如此普遍-你可以大量实现而不牺牲纯度.
亚博老虎机网登录Deep Jariwala副教授Peter和Susanne Armstrong杰出学者宾夕法尼亚大学工程应用学院电气系统工程系
InSe长期以来都表示承诺二维素养计算芯片,因为它带电量极佳
生产大片InSe证明难度很大,因为和化学往往归并成几类分子比例,取用化学结构并改变各种元素之比并因此损害其纯度
研究组的成功依赖宋子应用增长法 克服InSe原子结构的奇想
高级计算技术2DInSe化学结构需要完全为50:50生成物需要一个分布大面积的统一化学结构工作.
亚博老虎机网登录Seunguk Song大学工程应用学院电气系统工程博士后研究员
研究组利用生长法实现这一创新纯度,该方法被称为“垂直金属机化蒸发沉降”(MOCVD)。早期研究曾尝试同时以等量引入和
Song显示,该技术是材料中不想要化学结构的来源,从而生成分子并改变各种元素之比MOCVD函数对立时向恒定溪流传输,同时向脉冲引入
通过脉冲,你给和时间合并脉冲相隔的时段中, 你剥夺环境, 防止比率高居不下脉冲的好处是暂停正因如此 校服5050比 遍历全尺寸长.
亚博老虎机网登录Seunguk Song大学工程应用学院电气系统工程博士后研究员
除确保材料化学纯度外,研究团队还能够管理并协调水晶取向附加控件和对齐通过为电子运动创建无瑕环境大大提高半导体质量
...半导体中两个最重要的物质特性是化学纯度和晶体顺序最重要的工业质量是可扩缩性素材检查每个框表示Jariwala
杂志参考
SongSet al.2023年瓦费尺度二维纯度 InSe增长事端.doi.org/10.1016/j.matt.2023.07.012.
源码 :https://www.seas.upenn.edu/