东芝电子设备和存储公司(“东芝”)已经启动了两个汽车40 v n沟道mosfet力量,“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB,”使用东芝的新S-TOGL™(小晶体管大纲鸥翼的领导)包U-MOS IX-H处理芯片。从今天开始卷发货。
东芝:汽车40 v n沟道功率mosfet的新方案,有助于高散热和汽车设备的大小减少。app亚博体育图片来源:业务线
安全性至关重要的应用,比如自主驾驶系统确保可靠性通过冗余设计,结果他们集成更多的设备和需要更多的空间比标准系统。因此,推进规模减少汽车设备需要功率场效应管,可以安装在高电流密度。app亚博体育
新S-TOGL XPJR6604PB XPJ1R004PB使用东芝的™包(7.0毫米×8.44毫米[1])功能post-less结构统一的源连接部分和外部线索。multi-pin结构来源导致减少阻力。
S-TOGL的结合™包和东芝的U-MOS IX-H过程实现对东芝的重大阻力减少11% - 220 sm (W)包产品[2],它具有相同的热阻特性。新方案还所需的安装面积削减大约55% - 220 sm (W)方案。除此之外,200年新包的漏极电流评级高于东芝的同样大小的DPAK +包(6.5毫米×9.5毫米[1]),使高电流。总的来说,S-TOGL™包实现高密度紧凑布局,减少汽车设备的大小,并有助于提高高散热。app亚博体育
因为汽车设备使用在极端温度环境中,app亚博体育表面安装焊点的可靠性是一个关键的考虑。的S-TOGL™包使用鸥翼的领导,减少装配应力,提高焊点的可靠性。
假设多个设备将连接并行应用程序需要的电流操作,东芝支持分组装运[3]的新产品,门阈值电压用于分组。这允许设计使用产品组和小变化特征。
东芝将继续扩大其产品线的电力半导体产品和为实现碳中和更用户友好的,高性能的电力设备。
应用程序
- 汽车设备:逆变器、半导app亚博体育体继电器、负荷开关、马达驱动器等。
特性
- 新S-TOGL™包:7.0毫米×8.44毫米(typ)。
- 大的漏极电流等级:
XPJR6604PB:我D= 200
XPJ1R004PB:我D= 160
- AEC-Q101合格
- IATF 16949 / PPAP[4]
- 低导通电阻:
XPJR6604PB: RDS(上)= 0.53 mΩ(typ。) (VGS= 10 V)
XPJ1R004PB: RDS(上)= 0.8 mΩ(typ。) (VGS= 10 V)
注:
[1]典型包大小,包括领导。
[2]TKR74F04PB设在- 220 sm (W)方案。
[3]东芝可以提供分组装运,门阈值电压范围是每卷0.4 V。然而,指定一个特定群体是不可能的。请联系东芝销售代表为更多的细节。
[4]请联系东芝销售代表为更多的细节。
主要规格
|
新产品 |
当前的产品 |
零件号 |
XPJR6604PB |
XPJ1R004PB |
TKR74F04PB |
TK1R4S04PB |
极性 |
n沟道 |
系列 |
U-MOS IX-H |
包 |
的名字 |
S-TOGL™ |
- 220 - sm (W) |
DPAK + |
大小(毫米) |
typ。 |
7.0×8.44,t = 2.3 |
10.0×13.0,t = 3.5 |
6.5×9.5,t = 2.3 |
绝对最大额定参数 |
漏源极电压VDSS(V) |
40 |
漏极电流(直流)我D(一) |
200年 |
160年 |
250年 |
120年 |
漏极电流(脉冲)我DP(一) |
600年 |
480年 |
750年 |
240年 |
通道温度ch(°C) |
175年 |
电气特性 |
漏源极导通电阻 RDS(上)(mΩ) |
VGS= 10 V |
马克斯 |
0.66 |
1.0 |
0.74 |
1.35 |
Channel-to-case热阻抗 Zth (ch-c)(°C / W) |
Tc= 25°C |
马克斯 |
0.4 |
0.67 |
0.4 |
0.83 |
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