一个萨里大学发现解决问题,阻碍了source-gated晶体管(SGT)可能带来低成本、灵活的显示,需要很少能源更近一步。
图片来源:萨里大学。
我们使用一个快速新兴半导体材料称为IGZO或氧化indium-gallium-zinc创建下一代source-gated晶体管。通过纳米尺度接触工程,我们获得的晶体管,比先前更稳定的温度。设备模拟让我们理解这种效果。
萨里大学拉杜Sporea博士项目领导
拉杜Sporea博士补充说,“这种新设计增加了温度稳定性sgt和保留平时福利就像使用低功率,产生高信号放大,在不同条件下更可靠。虽然source-gated晶体管并非主流由于少数性能的限制,我们在稳步削弱他们的缺点”。
source-gated晶体管(SGT)是一种晶体管,它结合了两种基本电子元器件:薄膜晶体管和精确构造金属半导体接触接触。
它有各种优势传统晶体管,包括更低的功耗和更大的稳定性。sgt非常适合大面积电子和有趣的候选人使用在各种各样的领域,包括医疗、工程和计算。
Source-gate晶体管可以构建块新的高效灵活的电子技术,帮助满足我们的能源需求而不会破坏地球的健康。例如,传感和信号放大能力使他们容易被推荐作为医疗器械的关键元素,界面与我们的整个身体,使我们更好地理解人类的健康。
Salman Alfarisyi萨里大学
萨尔曼Alfarisyi进行模拟的萨里大学毕业本科项目。
期刊引用:
Alfarisyi、S。et al。(2023)。改善热稳定性通过纳米尺度接触工程的证据IGZO Source-Gated薄膜晶体管。IEEE电子设备。doi.org/10.1109/TED.2023.3276337。
来源:https://www.surrey.ac.uk