东京大学的工业科学研究所亚博老虎机网登录使用铁电绝缘门和atomic-layer-deposited氧化物半导体通道构建三维高密度数据存储设备的垂直结构的场效应晶体管。
东京大学的研究人员创建垂直场效应晶体管,可用于信息存储在一个三维数组,这可能会导致更快和更节能的数据存储。图片来源:东京大学
此外,研究人员发现,通过使用antiferroelectric而非铁电,他们能够擦除数据只有一个小的净电荷,导致更有效的写操作。这项研究可能会导致新的数据存储内存更小和更环保。
在数据存储方面,消费者闪存已经超越之前电脑媒体格式的大小、能力和支付能力,但新的机器学习和大数据应用程序继续燃料发展的必要性。
此外,即将到来的物联网节点和移动云计算设备将要求记忆,既节能又紧凑。然而,现代闪存技术要求,而重要的电流来读或写信息。
东京大学现在已经产生了一个概念验证3 d堆叠存储单元基于铁电和antiferroelectric与atomic-layer-deposited氧化物半导体场效应晶体管(fet)通道。这些场效应晶体管可以容纳1和0非易失性的,这意味着他们不需要权力的所有时间。
垂直装置结构提高数据密度同时降低运行能源需求。在垂直槽结构,氧化铪和氧化铟层形成。电偶极子在铁电材料是最健壮的同一个方向。亚博网站下载偶极子的垂直对齐是自然通过铁电氧化铪。
两极分化的程度在铁电层存储数据,可以阅读由系统由于电阻的变化。antiferroelectrics擦状态,另一方面,更愿意把偶极子,允许有效的消除过程中氧化物半导体通道。
我们表明,我们的设备是稳定至少1000次。
卓,研究第一作者,东京大学
研究人员尝试了不同的氧化铟层厚度。他们发现,调整这个参数会导致主要的性能收益。科学家们还绘制使用采用计算机模拟最持久的表面状态。
我们的方法有可能大大提高非易失性存储器领域。
Masaharu小林,研究高级作者,东京大学
这种类型的研究,结合实验与计算机模型原型,为未来的消费设备铺平了道路。
可用的工作是在2022年IEEE硅纳电子学车间作为“一个垂直通道铁电和反铁电场效应晶体管ALD不锈钢和磁场诱导极轴对齐三维高密度记忆。”
JST知识产权利用的支持计划,高速路,日本,为这个项目提供了资助。
来源:https://www.iis.u-tokyo.ac.jp/en/