Yingtao胡,Di梁,g Raymond Beausoleil来自惠普实验室,惠普企业,苗必达,美国CA讨论先进III-V-on-silicon光子集成。
同时结合不同的材料一起享受他们的优势,甚亚博网站下载至创造新的功能总是希望在我们的日常生活中,从食品到时尚,半导体产业。硅光子学的集成支持III-V光增益材料硅衬底上实现芯片上的光源。亚博网站下载
各种集成方法中,不同类地整合III-V材料硅衬底上通过使用晶圆键合技术是最受欢迎的一个,目前正在出现在商业产品。直接III-V层硅外延生长,另一方面,也有巨大的研究兴趣由于其潜在的解决方案很高密度集成从长远来看。
除了上述III-V-on-silicon光子集成方法,新出现的III-V-on-silicon光子集成方法通过保税衬底外延III-V再生材料吸引了很多兴趣。
来自惠普实验室的研究小组,III-V实验室和索菲亚大学投资于这种先进的集成方法和证明他们的工作单独激光。通过硅衬底上创建一个本地模板使用晶圆键合技术,模拟外延可以进行相应的模板。
这种先进的集成方法旨在提供高质量的III-V-on-silicon光子集成从直接外延晶片键合技术中受益。
在本文中,惠普实验室的研究人员,主要研究力量的这一主题,回顾最近的研究工作在这个集成平台的再生保税模板从不同的研究小组。
的调查模板发展的异同,比较和分析外延再生和制造激光设备,日益增长的兴趣和巨大的潜力在这本小说的概念再生保税模板已存在。进一步的讨论表明,这个方法具有许多潜在的优势如它提供了高质量的激光在硅衬底材料,它比其他现有III-V-on-silicon集成方法是成本的竞争。
特别是,除了伟大的实用性为芯片上的光源和其他功能的设备如果光子学,惠普实验室的研究人员认为,这种集成概念的一般方法结合不同的材料在不同的基质。亚博网站下载
值得期待这集成平台应用于低成本、高可伸缩性和高集成密度光子集成的应用程序和为先进材料组合甚至更广泛的领域。
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