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Picosun公司的PicoArmour™降低了半导体制造成本

从Picosun集团2021年6月3

Picosun集团拥有一项针对等离子蚀蚀的ALD防腐解决方案正在申请的专利，该方案将在半导体制造工艺的吞吐量、膜均匀性和一致性方面带来好处。与PicoArmour^TM与目前常用的工业解决方案相比，可以更有效地实现防腐。

晶圆制造工艺流程包括几个需要等离子蚀刻的步骤。使用蚀刻化学品的一个不可避免的后果是工具本身也会被蚀刻。减少工具损坏的常见工业解决方案是在蚀刻工具上涂上耐腐蚀涂层，例如使用PVD或使用Y喷涂涂层₂O_3.相比之下，只使用Y₂O_3.PicoArmour^TM能够以五倍的速度和更经济的方式生产涂层。而阿尔₂O_3.，涂层的耐用性可以提高五倍。*此外，蚀刻工具的维护间隔也可以增加，这也意味着制造成本的显著降低。

Picosun与PicoArmour的合作方式^TM是结合高耐蚀性Y₂O_3.ALD工艺采用更健壮的ALD工艺。结合铝的速度和方便性的高性能ALD防腐屏障₂O_3.具有Y的耐久性₂O_3.可以通过仔细地控制薄膜的组成来实现。使用ALD，可以通过更薄的薄膜实现保护效果，从而节约材料和更环保的过程。”

了解更多关于PicoArmour^TMPicosun公司已经完成了一项关于保护涂层免受等离子损伤的研究，请参加Picosun公司于美国东部时间6月29日上午10点25分在虚拟ALD 2021年会议上的演讲。注册在这里．

*值取决于沉积和蚀刻参数

来源:https://www.picosun.com/

引用

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美国心理学协会
Picosun组。(2021年6月03)。Picosun公司的PicoArmour™降低了半导体制造成本。AZoM。于2021年8月5日从//www.washintong.com/news.aspx?newsID=56232检索。
MLA
Picosun组。Picosun的PicoArmour™降低了半导体制造成本。AZoM．2021年8月05。< //www.washintong.com/news.aspx?newsID=56232 >。
芝加哥
Picosun组。Picosun的PicoArmour™降低了半导体制造成本。AZoM。//www.washintong.com/news.aspx?newsID=56232。(2021年8月5日生效)。
哈佛大学
Picosun组。2021。Picosun公司的PicoArmour™降低了半导体制造成本．viewed september 21, //www.washintong.com/news.aspx?newsID=56232。