芬兰Espoo，2021年6月2日 - Picosun Group已在专利权利中使用ALD启用ALD腐蚀解决方案，以针对等离子体蚀刻，这将在半导体制造过程中在吞吐量，薄膜均匀性和结合性方面带来好处。使用Picoarmour TM，与当今常用的行业解决方案相比，可以更有效地实现腐蚀保护。
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晶圆制造过程流量包括几个步骤，需要等离子体蚀刻。使用蚀刻化学物质的必然结果是将工具本身蚀刻。减少工具损伤的常见工业解决方案是将耐腐蚀涂层应用于蚀刻工具，例如使用PVD或用Y2O3喷涂涂层。与仅使用Y2O3相比，Picoarmour TM可实现多达五倍的速度和更具成本效益的产生涂层的方式。与AL2O3相比，涂层的耐用性可能是五倍。
“ Picosun使用Picoarmour TM的方法是将高度蚀刻的Y2O3 ALD流程与更强大的ALD过程相结合。可以通过仔细控制膜组成来实现高性能ALD腐蚀屏障与Al2O3工艺的速度和便利性与Y2O3的耐用性。使用ALD，可以通过更薄的薄膜来实现保护效果，从而导致物质节省和更环保的过程。”
要了解有关Picoarmour TM的更多信息，而Picosun的研究与防御性涂层有关，请在6月29日上午10:25在EDT的Virtual Ald 2021会议上加入Picosun Talk。在此处注册：https：//ald2021.avs.org/register/