表面掺杂调制策略有机半导体的电子特性

有机场效应晶体管(ofet)塑料电子产品的核心。兴奋剂已被证明有效地提高ofet的性能。有两种掺杂osc的主要方式。

第一个策略是兴奋剂。大部分共沉积掺杂包括溶液相混合或气相掺杂物的主人osc。然而,大部分掺杂在基质材料中引入了结构性缺陷和充满活力的障碍,降低了有机半导体的迁移率。

第二个策略是表面掺杂。表面掺杂是通过主机osc的掺杂物表面的沉积。与散装掺杂相比,掺质不纳入主人的晶格,从而诱导的结构性缺陷和充满活力的常见的批量掺杂是消除障碍。

因此,表面掺杂被认为是一个有用的策略,无损osc的兴奋剂。到目前为止,掺杂物的各种结构已应用于表面掺杂。然而,大多数掺杂物的多晶薄膜厚度控制不佳,因此,osc的性能改进是限制。二维分子晶体(2后腰)定期安排单层或一些层次化的有机分子由弱相互作用(如氢键、π-π相互作用,范德华力)在二维平面上。他们连续超薄电影远程秩序。

此外,两个后腰的厚度可以通过调优在单层水平,使高度可控掺杂osc的单层精度。结果,两个后腰潜在有利的材料作为表面掺杂的掺杂物。亚博网站下载

最近,李Rongjin博士和他的同事们在天津大学报道一个高效和高度可控的表面掺杂策略基于一维/二维复合单晶提高机动性和调节ofet的阈值电压。

利用分子规模的厚度2 dmc掺杂物,严格对主机osc是保证高效的表面掺杂。更重要的是,分子尺度2 dmc控制层的厚度可以确保精确的掺杂基质材料的单层精度。

在他们的研究中,一维有机单个水晶microribbons OSC TIPS-pentacene被采用作为一个例子。与原始材料相比,ofet的平均移动基于1 d和2 d合亚博网站下载成单晶增加从1.31厘米2/ V * 4.71厘米2/ V * s,相应的增加了260%。与此同时,大量减少的阈值电压-18.5 V至-1.8 V。的最大移动5.63厘米2/ V * s高于绝大多数报道机动性TIPS-pentacene所以我们所知。此外,较高的开/关比率高达108人保留。表面掺杂2后腰提供了一个高效和高度控制策略调节osc的光电性质为各种应用程序。

看到这篇文章:张Y,杨年代,朱X,翟F,冯Y,冯W,张X,李R,胡锦涛W .高效有机半导体的电子性质的调制与2 d表面掺杂分子晶体。中国化学科学。,2020年,DOI: 10.1007 / s11426 - 020 - 9765 - 8。

http://engine.scichina.com/doi/10.1007/s11426 - 020 - 9765 - 8

来源:http://www.scichina.com/

告诉我们你的想法

你有检查、更新或任何你想添加这个新闻吗?

离开你的反馈
你的评论类型
提交