牛津仪器等离子体技术(OIPT)近日推出了一项革命性的等离子体原子层沉积(ALD)高容量制造(HVM)解决方案，为解决氮化镓功率器件行业的基本挑战提供了必要的一步变革。
氮化镓设备使下一代高效电力电子设备能够应用于小型消费电源、5G网络、电动汽车和可再生能源转换等领域。
氮化镓器件比现有技术更高效、性能更高，但在制造产量和可伸缩性方面存在挑战。需要解决这些问题，以具有竞争力的成本提供可靠的设备。
一个关键的挑战是始终如一的高质量栅极钝化，Atomfab以高吞吐量和低拥有成本(CoO)提供了这个解决方案。
- 性能:优异的钝化和介电性能使苛刻的器件性能对关键应用至关重要。
- 等离子体:远程等离子体提供可复制的氮化镓界面。Atomfab精确地控制等离子体，以保护底层敏感的GaN衬底。
- 速度:在专门为GaN电源应用开发的高正常运行时间HVM平台上，通过高沉积速率工艺提供高吞吐量。
Atomfab提供的每片晶圆的成本大幅降低得益于许多技术创新，包括正在申请专利的革命性快速远程等离子体源。
Atomfab以SEMI标准的集群配置和改进的工艺控制为最新的复合半导体解决方案，满足客户在单晶圆平台上的需求。
Atomfab为我们的GaN器件制造客户提供了许多关键的好处，包括显著减少CoO，提高成品率和卓越的薄膜质量和器件性能。多年来，牛津仪器等离子技术一直被认为是化合物半导体等离子解决方案的首选供应商。我们将这些知识运用到HVM平台上，确保每天生产出最佳的设备。
OIPT战略业务发展总监Klaas Wisniewski
我们的独特的等离子ALD解决方案得到了高度赞扬，并听取了我们的HVM客户将这些解决方案带到下一个水平。我们很高兴地宣布，Atomfab为我们的客户提供这些HVM解决方案。
OIPT董事总经理Mike Gansser-Potts
更多关于Atomfab的信息，请访问plasma.oxinst.com/Atomfab