2019年5月7日
NUS科学家发现光诱电子下药方法2密构下一代逻辑设备
图a和b显示图文插图光照和负偏差条件下,热电子飞进MOTE2层后,局部阳性电荷留在BN层诱发 莫特2层下 doing效果亚博网站下载[回复:高级素
二维(2D)过渡金属二二维化物(TMDs)是开发下一代电子设备大有希望的构件亚博网站下载这些材料原子稀薄并显示独特的电气特性研究者有兴趣开发n型和p型场效果晶体管使用2DTMds构建基本逻辑电路组件构件包括p-n交叉点和反转器
由化学系和物理系CHEN Wei教授牵头的团队NUS发现光照可用以诱导模Te2基础FET以非易变易变方式修改电容FET由mote制成2/BN外层结构编译2onnitride层并附加金属触点组成设备灯光照亮条件下对BN层应用极化可修改设备用法设备照亮后,电子占据BN带状像捐赠国时会兴高采烈并跳入传导带通过对BN层应用负偏差,这些光子Excitede2层有效注入n型半导体遗留在BN层中的积极电荷产生正偏差,帮助维护MOTE电子用药2层层研究团队发现,没有外部扰动,摄像效果可保留14天以上。
团队开发p-n交叉点和反转器而不使用光阻2素材实验测量Mote2二极极近一极理想化系数约1.13,接近理想p-n交叉点
陈教授解释发现的意义说发现二维异构光化效果 提供假造无光阻p-n交叉点和反转器 开发逻辑电子设备
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