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Picosun公司的高宽高比ALD使3D薄膜电池成为可能

PicoSun Group是一种用于工业生产的先进ALD(原子层沉积)薄膜涂层技术的领先供应商,报告了固态3D薄膜电池的保形ALD涂层的优异结果。

在便携式和可穿戴电子产品中越来越需要固态薄膜电池,例如智能手机,平板电脑,智能手表,自主传感器以及植入医疗设备。这些电池必须与高能密度组合小巧,紧凑的尺寸,这就是下一步将远离平面电池几何形状到三维的原因。在3D薄膜电池中,纳米结构,波纹的高纵横比(HAR)结构乘以主动表面积,从而乘以电池的电荷存储容量。

需要先进的制造方法来制造这些结构内部的功能层,如电极和固体电解质。ALD能够在HARs内部创造最高质量的保形材料层,甚至高达1:3000,因此它显示出3D薄膜电池制造的巨大潜力。Picosun的高宽高比ALD已经在各种半导体和MEMS工业应用中得到应用,现在已经成功地用于制造固态3D薄膜电池电极。通过优化工艺参数的标准PICOSUN™ALD反应器配置,已经取得了优异的结果,但对于更具挑战性的HAR涂层需求,PICOSUN的Picoflow™扩散增强专利技术是理想的。

“便携式和可穿戴电子产品的迅速普及,创造了对小型和嵌入式能源的需求,为这些设备提供动力。固态3D薄膜电池是这方面的一个强有力的候选人,我们在Picosun很高兴向制造商介绍我们的ALD解决方案。值得注意的是,即使使用我们的基本ALD,我们也能够在具有挑战性的HAR结构中创建具有最高同构性的功能层,而且我们的方法很容易扩展到高产量的工业生产。而且,当这些结构在纳米尺度上变得更加复杂时,我们的Picoflow™技术能够保证高质量的沉积结果,并具有行业公认的可靠性,”Picosun集团董事总经理Juhana Kostamo先生总结道。

引用

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    Picosun组。(2019年3月29日)。Picosun的高纵横比ALD可实现3D薄膜电池。Azom。7月05,05,2021从//www.washintong.com/news.aspx?newsid = 50793中检索。

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    Picosun组。Picosun的高宽高比ALD使3D薄膜电池成为可能。AZoM.7月20日05.

  • 芝加哥

    Picosun组。Picosun的高宽高比ALD使3D薄膜电池成为可能。Azom。//www.washintong.com/news.aspx?newsid = 50793。(访问于7月05,2021)。

  • 哈佛

    Picosun组。2019。Picosun公司的高宽高比ALD使3D薄膜电池成为可能.Azom,于7月2021年7月05日,//www.washintong.com/news.aspx?newsid = 50793。

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