2019年3月14日
智能手机由许多称为晶体管的小型开关组成，这些开关可以帮助管理多个任务，而不是拨打呼叫，而是拨打社区，发送文本，谷歌搜索名称和捕捉自拍照。
NC-FET的示意图，其中CMOS兼容的铁电HZO层是栅极堆栈的一部分，可以实现栅极堆栈中的负电容，并以下60 mV/dec晶体管操作。（图片来源：Peide D. Ye）
这些晶体管使用一个电导通道，其电导率可以使用栅极末端改变，该通道可以通过5到6原子厚的介电膜与通道分开。
在过去的五十年中，根据摩尔的法律，晶体管变小，发现芯片上的晶体管数量大约每1.5年增加两倍，而成本则减少到一半。但是，目前，已经到达了一个点，无法再缩放晶体管。
在一项新研究中，发表在应用物理字母， 从AIP出版，科学家审查了负电容磁场晶体管（NC-FETS），这是一种新的设备原理，该原理提出可以通过添加一层薄薄的铁电材料来更有效地制造常规晶体管。尽管需要频繁的电池充电，但同样的芯片可以计算得更多。
这项技术背后的物理学正在全球评估，在他们的研究中，科学家概述了NC-FET的先进研究，以及对已发表作品中描述的各种实验的相干和自洽解释的需求。
NC FET最初是由我的同事Supriyo Datta和他的研究生Sayeef Salahuddin提出的，他现在是加利福尼亚大学伯克利分校的教授。
普渡大学电气和计算机工程教授Muhammad Ashraful Alam。
最初，Alam发现NC-FET概念很有趣 - 因为它重点是为半导体行业发现新型的电子开关的紧急问题，并被用作广泛的相位转换设备的概念框架，通常被称为“ Landau”开关。”
最近，当我的同事和合着者Peide教授开始实验证明这些晶体管时，这是一个与他合作探索该设备技术深刻吸引人特征的机会。我们的文章总结了我们关于该主题的“理论实验主义者”的观点。
普渡大学电气和计算机工程教授Muhammad Ashraful Alam。
根据研究团队的数据，尽管已经yabo214发表了许多与该主题相关的文章，但仍在大力讨论NC-FET的频率可靠性限制和准静态NC的有效性。
鉴于该分析被最终证明并与当今的IC相关联，因此NC-FET的效果将具有变革性。
鉴于潜力，需要对设备概念进行系统分析。我们发现来自各个组的数据具有广泛的分散，研究人员正在使用非常不同的技术来表征其设备。这需要对现有数据集进行集成而全面的分析。
Peide D. Ye，普渡大学。
科学家希望他们的研究能够使社区团结起来，提出协调进步来实现这一成功技术的方法。