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IMEC和ASML输入了EUV光刻协作的下一阶段

如今,世界领先的纳米电子和数字技术IMEC的研究和创新枢纽,以及持有N.V.(ASML)的ASML,技术和市场领导者的光刻设备,宣布了他们广泛的合作中的下一步。app亚博体育他们将加速采用EUV光刻进行高批量生产,包括当前最新的EUV可用设备(0.33数值孔径,NA)。app亚博体育此外,它们将探讨下一代高NA EUV光刻的电位,以使得更小的纳米级器件的印刷推动朝向柱3纳米逻辑节点的半导体缩放。为此,他们将建立一个联合高NA EUV研究实验室。

IMEC和ASML一直在进行近三年的联合研究。2014年,他们创建了一个先进的Patterning Center联合研究中心,优化了高级CMOS集成的光刻技术,并准备了生态系统,以支持预先图案化要求。现在,他们将这一合作带入下一阶段,随着IMEC的洁净室安装ASML最先进和高批量生产专用EUV扫描仪(NXE:3400B)。利用IMEC的基础设施和高级技术平台,IMEC和ASML研究人员和合作伙伴公司可以积极分析和解决缺陷,可靠性和产量等技术挑战,并因此加速EUV技术的工业化。

凭借250W光源,ASML的最新EUV系统吞吐量将超过125个晶圆每小时,这是该行业最重要的大批量生产要求。NXE:3400B还将配备最新的对准和调平传感器,以便在此高吞吐量下实现最佳过程控制。This will facilitate the overlay matching of the NXE:3400B to that of the latest immersion scanner, NXT:2000i, that will also be installed in imec’s cleanroom in 2019. In addition, ASML and imec will expand the metrology capability with new ASML YieldStar optical metrology and ASML-HMI Multi-electron beam metrology equipment, allowing more accurate and faster evaluation of nanoscale structures.

为了继续在光刻开发的前沿,越来越多的合作的第二个组成部分是高NA EUV研究实验室的基础。在本实验室中,两个组织的研究人员将在较高NA处进行下一代EUV光刻。具有较高NA的系统将EUV光线投入到晶片上,在较大的角度下,提高分辨率,并使较小的特征打印。更具体地说,将在联合研究实验室安装的新型高NA EUV系统,exe:5000,将具有0.55的NA,而不是当前NXE:3400 EUV系统的0.33。现在,第一个有助于引入高NA EUV的联合科学项目正在进行中。在联合研究实验室中,ASML和IMEC将通过高NA EUV对最先进的纳米级设备进行研究,并协助设备和材料供应商的生态系统,以便为行业引入高NA EUV技术。app亚博体育

IMEC总裁兼首席执行官Luc Van Den Hove:“新的EUV扫描仪和ASML Metrology设备将允许我们的行业合作伙伴对最先进和行业相关的光刻和计量设备进行app亚博体育协作研究。谈到光刻,ASML无疑是世界领导者。ASML和IMEC具有近30年的联合研究传统,导致突破图案研究,推动半导体产业路线图。“

Asml总裁兼首席技术官Martin Van Den Brink:“我们非常高兴地与IMEC的漫长而深刻的合作。访问最先进的半导体光刻工具对于探索和确定未来几代半导体器件和应用的路径至关重要。IMEC的研究人员和客户可以确保多年来最新的全面光刻技术。世界各地的半导体行业和消费者和企业将在未来十年内从IMEC的工作成果中受益,导致微芯片成本和表现的持续改进。“

来源:https://www.asml.com/asml/en/s427.

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