2017年7月19日
在30年代初，路易·奈尔发现异常即是由磁性元件和表现在任何温度下零剩磁具体的材料不符合顺磁性居里定律。亚博网站下载
从那时起，这种现象背后的恒定低温敏感性（称为反霉素或AFM）已经越来越受到重视，并且已在各种应用中使用，特别是在增强的计算机存储器单元领域。
在LCMO / CRTO多层的AF-IEC。（a）在LCMO / CRTO和LCMO / CRO SLS中测量的标准化磁化（M）的温度（T）依赖性，[2.8 / 1.2] 10。来自非政府组织（001）基板的顺磁背景被包括用于比较。在这些测量期间，沿着平面内易轴施加250个OE的冷却场[010]。插图显示了从每个SL处的50k测量的相应磁滞回路，从每个SL从NGO基板中减去（图S3和S4）。（b）从LCMO / CRTO SLS的100K测量的滞后环，[2.8 /1.2] n，分别为n = 2,3和4。为清楚起见，用磁场（h）测量的磁场（h）从正（负）扫描到负（阳性）用固体（开放）圆圈（图S6）表示。（c）N = 4秒的中间状态的两个可能的磁性配置，其具有1 / 2ms的磁化高原。（d）PNR从LCMO / CRO SL，[2.8 / 1.2] 10的10K以10K测量，沿着平面内容易轴施加的30 OE（顶部）或5000 OE（底部）的领域[010]。（信誉：中国科学技术大学）亚博老虎机网登录
合成反铁磁体，或S-的AFM，是FM层形成反铁磁体被定期与绝缘的或金属分隔物插层。这里，相邻的FM层的磁化被交错由于反铁磁性（AF）层间交换耦合（IEC）。虽然合金和过渡金属形成S-原子力显微镜的合成已成功，在过去几十年中，在S-的AFM层分辨磁开关与对应氧化物多层膜是很少可能的。同时，合成S-原子力显微镜，其包括相应的氧化物已经在部分非常困难的，由于磁性层中的一厚度几纳米的显着退化铁磁性。此外，这样的“死层”的效果可能是在开发的所有氧化物S-的AFM的关键障碍。
武文斌教授和他的团队在解决“死层”效应的困难都最近取得的进步。研究人员开发的S-通过原子力显微镜拍摄CARU1/2TI.1/2O.3.（CRTO）作为间隔层，作为LCMO磁性层和（001）取向NdGaO3.（NGO）作为底物。层分辨磁性切换导致尖锐阶梯状的磁滞回线，其包括磁化高原，其取决于堆叠双层的复发数量的形成。磁化的配置，可以的奥斯特几百中等磁场强度来改变。
在AF-IEC在LCMO / CRTO多层的情况下，主磁性性质是为TC与普通LCMO膜相比，182 k在很大程度上提高。然而，它仍然低于相关的LCMO / CRO超晶格SL，具有T.C近265 K。值得注意的是，LCMO/CRTO SL在T处也表现出矩的减少C140 K的因此，研究人员认为，在与比较LCMO这样的降/ CRO SL在磁化被当作AF-IEC的FM LCMO层用的间隔物CRTO中的签名。他们进行了极化中子反射率（PNR）测量在LCMO / CRTO SL，[2.8 / 1.2]10.，直接在SLS中建立AF-IEC。
当该字段为低至30奥斯特，在自旋向上（R +）以及降速（R-）偏振中子表现出在Q处的反射Z.= 0.78 nm.-1，导致双层，即，为8纳米的厚度的两倍的周期。这种磁周期清楚地表明在SL的AF-IEC。相反，当该字段为高达5000奥斯特，所述反射被完全抑制，并且新鲜的发生在精确Q的结构布拉格峰Z.= 1.57 nm.-1，表示所有LCMO层从抗平行于并联磁对准的转换。
为了得出结论，研究人员对LCMO / CRTO SLS的层分辨磁力切换表现出AF-IEC。此外，他们还发现可以通过CRTO间隔物的Ti掺杂水平以及生长取向来调谐AF-IEC。本文中的作者描述的系统也可以应用于各种其他预期应用，例如旋转反应和生物技术应用。
中国国家自然科学基金（中国国家基础研究计划亚博老虎机网登录）和中国科学院合肥科学中心支持了这项研究。
来源:http://en.ustc.edu.cn/