仙飞推出superet III MOSFET系列，具有一流的效率和可靠性GydF4y2Ba

更好的效率、EMI和坚固性使superet III mosfet成为高性能产品的理想选择，具有严格的坚固性和可靠性要求。GydF4y2Ba

Fairchild Semiconductor，现在是半导体的一部分，今天推出了其SuperfetGydF4y2Ba^®GydF4y2BaIII系列650V n沟道mosfet，该公司的新一代mosfet，满足最新电信、服务器、电动汽车(EV)充电器和太阳能产品更高的功率密度、系统效率和特殊的可靠性要求。GydF4y2Ba

的GydF4y2BaSuperfet III MOSFET系列GydF4y2Ba结合了级别的可靠性，低EMI，卓越的效率和卓越的热性能，使其成为高性能应用的理想选择。补充其性能特性，其广泛的包装选项使产品设计人员更具灵活性，特别是尺寸约束设计。GydF4y2Ba

无论在哪个行业，我们的客户都在寻求每一代新产品在效率、性能和可靠性方面的显著改进，并努力使他们的新产品更快地推向市场。除了设计我们新的superet III mosfet，以帮助客户满足他们的关键产品目标，我们还确保设备也将有助于降低BOM成本，缩小板空间和简化产品设计。GydF4y2Ba

金钊，仙童公司高功率事业部副总裁兼总经理。GydF4y2Ba

superet III技术在超级结MOSFET的任何简单驱动版本中具有最低的Rdson，提供了同类中最好的效率。这要归功于先进的电荷平衡技术，在相同的封装尺寸下，该技术使Rdson比superet II前辈低44%。GydF4y2Ba

superet III的坚固性和可靠性的一个关键因素是其同类中最好的体二极管和比其最接近的竞争对手更好的三倍的单脉冲雪崩能量(EAS)性能。GydF4y2Ba

在650V superet III的关断过程中，较低的漏源极电压峰值提高了系统在低温运行时的可靠性，因为在-25℃结温时，击穿电压比室温自然降低了5%，而在低温时，漏源极电压峰值会升高。GydF4y2Ba

这些可靠性优势对于工业应用尤其重要，如太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和电动汽车充电器，这些应用必须能够承受更高或更低的外部环境温度。superet III MOSFET系列目前可提供多种封装和参数选择:GydF4y2Ba

设备号GydF4y2Ba	RGydF4y2BaDS（开）GydF4y2Ba（MAX）（MΩ）@ VGS = 10VGydF4y2Ba	问GydF4y2BaGGydF4y2Ba(Typ) (nC) @ VGS=10VGydF4y2Ba	包GydF4y2Ba
FCH023N65S3L4GydF4y2Ba	23GydF4y2Ba	222.GydF4y2Ba	4 - 247 lGydF4y2Ba
fch023n65s3.GydF4y2Ba	23GydF4y2Ba	222.GydF4y2Ba	3 - 247 lGydF4y2Ba
fch067n65s3.GydF4y2Ba	67.GydF4y2Ba	78.GydF4y2Ba	3 - 247 lGydF4y2Ba
FCP067N65S3GydF4y2Ba	67.GydF4y2Ba	78.GydF4y2Ba	到-220 3LGydF4y2Ba
FCPF067N65S3GydF4y2Ba	67.GydF4y2Ba	78.GydF4y2Ba	到-220f 3lGydF4y2Ba
FCB070N65S3GydF4y2Ba	70GydF4y2Ba	78.GydF4y2Ba	到-263 2L（D2-PAK）GydF4y2Ba

有关Fairchild的superet III MOSFET家族的更多信息，请访问GydF4y2Bafairchildsemi.com/superfet.GydF4y2Ba．GydF4y2Ba