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Tescan宣布研讨会在微电子设备的失效分析

TESCAN很高兴邀请你参加一个研讨会”微电子设备的失效分析

他们在这个网络研讨会讨论最近的成就关于失效分析(FA)微电子设备使用独特的方法。报告分为两个部分。第一部分将包括FA结果基于最先进的集成电路(IC) 14 nm节点技术。

重点是控制正交并使用辅助平面集成电路机构扁平化Xe血浆FIB蚀刻。在下一步TEM薄片准备Ga和Xe血浆FIB函数。会特别注意前置和后端artifact-free准备的薄片。在第二部分,我们将介绍FA结果使用Xe血浆FIB先进的包装技术。

截面尺寸超过100µm将证明,强调FIB工件使用专有的减缓摇摆阶段技术和特殊的屏蔽方法。这些方法允许处理的最具挑战性的包。

引用

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  • 美国心理学协会

    TESCAN USA Inc . .(2019年,08年2月)。Tescan宣布研讨会在微电子设备的失效分析。AZoM。2021年8月28日,检索从//www.washintong.com/news.aspx?newsID=45532。

  • MLA

    TESCAN USA Inc . .“Tescan宣布研讨会在微电子设备的失效分析”。AZoM。2021年8月28日。< //www.washintong.com/news.aspx?newsID=45532 >。

  • 芝加哥

    TESCAN USA Inc . .“Tescan宣布研讨会在微电子设备的失效分析”。AZoM。//www.washintong.com/news.aspx?newsID=45532。(2021年8月28日通过)。

  • 哈佛大学

    TESCAN USA Inc . .2019年。Tescan宣布研讨会在微电子设备的失效分析。AZoM,认为2021年8月28日,//www.washintong.com/news.aspx?newsID=45532。

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