这个隐藏式TPD工作站提供了一个多功能平台，用于在温度范围为50℃的超高压压力下精确控制热脱附研究（TDS）ºC至1000ºC
常见的应用包括硅片和薄膜涂层的脱附研究，金属析氢的量化。
样品台的温度梯度完全可编程，速率为每分钟40oC，由一个隔热板覆盖，该隔热板包括水冷，以最大限度地减少排气和样品之间的冷却速率。通过超高压负载锁定和样品传输机制实现快速样品加载和提取，保持最佳初级真空质量。样品，通常为近1厘米的晶圆形式。方形，正位于样品台上，以确保与加热器表面有效热接触。
四极质谱仪也带有水冷夹套，安装在靠近样品表面的接收孔处，用于最佳捕获逸出气体，300 amu Hiden 3F PIC系统具有快速数字检测系统，具有7年动态范围，用于最佳量化逸出峰轮廓。样品温度直接与TPDsoft控制和采集程序合并，用于结合呈现多种进化物种和温度。
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