德国爱思强公司股价的生产技术集成了imec的专有材料技术，以提高基于gan -on- si的功率器件的性能。亚博网站下载
爱思强是全球领先的半导体沉积设备供应商，app亚博体育近日，比利时纳米电子研究中心宣布，其G5+ C多晶批量MOCVD平台已获得制造特定缓冲层的资格，这是与比利时纳米电子研究中心在高压氮化镓(GaN)功率器件技术方面的合作成果imec(大学间的微电子中心)。
最近，爱思强和imec都获得了2016年CS行业大奖，分别为爱思强G5+ C的“大批量制造”和imec GaN-on-Si材料开发的“基片和材料”。亚博网站下载结合他们的专业知识，爱思强加入了imec的高功率GaN-on-Si器件技术行业联盟计划。在该项目框架内，AIXTRON的5x200mm G5+ MOCVD平台获得了将imec专有的高压无弥散缓冲技术集成到5x200mm G5+ MOCVD平台的资格。这一目标在很短的时间内就实现了，并证明了AIX G5+ C系统的技术成熟度很高。
我们很高兴地宣布，imec专有的200mm GaN-on-Si材料技术在我们的G5+ C大容量制造平台上获得了成功的认证。亚博网站下载这一成就主要是基于imec和AIXTRON外延团队快速实现了合格的层工艺组合，建立了针对高压开关应用的复杂外延材料堆栈。
Frank Wischmeyer博士，爱思强电力电子市场营销和业务发展副总裁
imec的目标是高性能和可靠的GaN功率器件，需要器件和材料工程的共同努力。由于AIX G5+ C恰好支持这一点，我们很高兴能够将设备结构进程快速地转移到新的平台上。我们很高兴爱思强成为imec GaN行业合作项目的一部分，并期待继续成功合作。
Rudi Cartuyvels——imec智能系统和能源技术高级副总裁
爱思强的G5+ C是首个全自动化GaN-on-Si生产系统，包括盒式对盒式晶圆加载系统和自动反应器原位清洁。在同一发布时间，行星批AIX G5+ C系统显示了最高的均匀性控制的层属性和最低的粒子。
基于爱思强为GaN-on-Si功率HEMT行业量身定制的合格MOCVD工艺组合，典型的挑战，如在200 mm Si衬底上的AlGaN/GaN材料的应变工程，通过与imec的合作，可以成功地解决在Si衬底上形成高质量的AlN形核和高质量缓冲层的无凹坑生长问题。