上星期IEE国际电子设备会议2015世界领先纳米电子研究中心imec展示三大新铝硝化/硝化堆栈,优化低散缓冲设计
imec优化二百毫米硅网格增长过程,实现电子模式设备超出最先进阈值电压和高驱动电流
实现alGaN/GaN-on-Silcon设备上畅通无阻设备操作时,必须最小化分散GAN信道和硅基缓冲电荷已知是引起分散的关键因素
Imec比较不同类型缓冲对分散度和优化三大类型的影响:经典步级缓冲、带低温 AlN跨层缓冲和超级拉斯蒂斯缓冲三大类型缓冲优化以适应广温和偏差条件的低分散性、泄漏和分解电压
Imec还优化自定义p-GaN增长过程,显示p-GaNHEMT电效提高,实现超先进组合高阈电压、低静电和高驱动电流(Vt>2V,R上传=7c.mm和id>0.4a/mmP-GANHEMT结果优于MISHEMT对等
ImecGaN对Si研发程序旨在将技术推向工业化imec提供中包括完全二百毫米CMOS兼容二百VGAN处理线,app亚博体育Imec程序允许伙伴提前访问下一代设备与电源电子流程、设备与技术,并分担加速创新
当前研发侧重于提高imec电子模式设备性能和可靠性,同时通过基础技术创新、更高层次集成和新设备架构探索推介技术边界
...Imec上星期著名的IEDM会议发言证明我们200毫米GaN对Silcon平台的能力、精度和成熟度Rudi Cartuyvels表示,
...以这一成功为基础,我们现在正与GAN伙伴合作实施并传输专用设备同时,我们正在探索替代基底技术以进一步推动GAN技术边界...