海特获得8.9美元融资,为光电半导体开发氮化铝单晶

海特公司,公司开发和生产单一晶体氮化铝(AIN)基质高性能电子和光电半导体器件,今天宣布它已经关闭了一个890万美元的融资。

Durham-based Intersouth伙伴系列圆领890万美元,与H.I.G.企业,西维因罗森基金和数控想法参与。轮,将用于推进产品开发,扩大营销努力和建设公司的管理团队,是公司的第一外部融资。Craig博雅H.I.G.事业中,约翰Glushik Intersouth伙伴和戴夫·麦克莱恩的西维因罗森基金将加入公司董事会。

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“这个投资集团非常兴奋与海特合作,”约翰说Glushik Intersouth伙伴。“宽禁带半导体的创始人是公认的专家和晶体生长技术。市场准备先进半导体器件的新类海特将使。”

海特开发了专有生长过程制造的单一的水晶是基质,利用这将使复杂的制造,下一代电子和光电设备性能优越,设备寿命。根据技术开发公司成立于2001年的北卡州立大学的材料科学。亚博网站下载亚博老虎机网登录开发的技术在过去的八年里由公司创始人兹拉特科锡塔尔琴博士和拉乌尔Schlesser。

“本地基质III-nitride技术的未来发展至关重要,兹拉特科锡塔尔琴说,海特总裁兼首席技术官。“我们很兴奋这个机会,因为它将使我们加速我们商业上可行的AlN晶片大小的比例,显著提高我们的晶圆生产能力,使我们能够开发新的设备和战略伙伴关系。”

自己是一个有吸引力的衬底III-nitride设备由于其晶格和热匹配,高导热系数和宽禁带。这些属性可以操作设备的当前水平很高,高电压、高温和高频率。

海特晶片在各种半导体器件的应用程序基于AIGaN合金。海特的专有增长过程将导致AIN基质与位错密度很低,综合素质高。