Kwansei Gakuin University位于日本城市的Nishinomiya和Sanda的兵库县。
Kwansei Gakuin大学纳米科技学院的纳米技术部Noboru Ohtani教授与他的雷尼斯·阿押拉曼显微镜。亚博老虎机网登录
Noboru Ohtani教授是科学技术学院可持续能源纳米技术系的成员。亚博老虎机网登录他的主要研究领域是宽带隙半导体和晶体缺陷的研究。
4H-SIC外延晶片中的晶体缺陷，例如位错和堆叠故障，限制SiC器件的商业化，因此必须消除或减少到低于某种临界密度的水平。该部门的研究目标是建立可以生产大型超高品质的SIC外延晶片的SIC晶体增长过程。为实现这一目标，他们试图阐明SiC散装晶体和外延膜中的晶体缺陷的原因和形成机制。
晶体缺陷引起晶体中的残余应力。在4H-SiC晶体中，应力可以通过多种机制发生。例如，生长晶体中的温度梯度是晶体生长的主要驱动力，导致晶体在生长和/或冷却过程中的塑性变形。当晶体冷却到室温时，这种变形导致了残余应力。
晶体中应力的空间变化可以用这种方法测量Renishaw的Invia共聚焦拉曼显微镜．这些测量为物理气相传输(PVT)生长和化学气相沉积(CVD)过程中缺陷的形成提供了有价值的信息。这些信息被用于改善晶体生长过程。
大谷教授的实验室还使用高分辨率x射线衍射(HRXRD)来表征应力分布。拉曼显微镜为HRXRD数据提供了补充信息，但具有更高的空间分辨率。当被问及为什么选择inVia作为实验设备时，Ohtani教授说:“其主要优点是超高速数据采集系统，与其他拉曼系统相比，该系统在测量材料应力时具有更高的灵敏度。”亚博网站下载
ohtani教授和他的同事最近发表了一篇论文亚博网站下载材料科学论坛亚博老虎机网登录描述了4H-SiC晶体物理气相传输生长初始阶段的结构和电学特征。1它说明了微拉曼成像的力量，以帮助展示重掺杂的氮供应体对SiC晶体缺陷形成的影响。
请拜访www.renishaw.com/Invia.以进一步了解雷尼肖的inVia共焦拉曼显微镜。
参考
4H-SIC晶体物理蒸汽输送生长初始阶段的结构和电学特性，材料科学论坛Vols 821-823（2015）PP 90-95。亚博网站下载亚博老虎机网登录www.scientific.net/msf.821-823.90t takahashi等。
关于英国
英国是一家拥有测量、运动控制、增材制造和精密加工等核心技术的全球性公司。该公司还专门生产高质量的光谱学产品，是拉曼光谱学领域公认的领导者。雷尼肖光谱产品部的科学家和工程师团队专注于高性能、可配置拉曼光谱仪的开发、应用和生产。