一组研究人员水稻大学开发出先进固态存储技术,使高密度数据存储不引起计算机重大错误内存设备解决交叉问题,推广其他设备读错内存建建在ttanlum氧化物上-电子学使用标准解析器
示意图显示台北氧化金、多层石墨和白金结构,用于水稻大学开发新式内存内存设备克服交叉问题,在其他设备中引起读错(Credit:TourGroup/Rice大学)
电压应用到250米厚的石墨层、白金层、钽层和纳米聚亚位元取零取一控制电压转换氧离子和空缺化学家James Tour大米实验室最新突破可铺路存储多至162GB数组内存,比研究者研究的其他氧化物内存单元高得多。八比特等值一字节, 162-GB单元可存储约20GB数据细节研究发布在美国化学学会杂志Nano字母
前游实验室发现二氧化物记忆类似于二氧化物存储器 最新设备只需要一对电路这使得这些装置比今天闪存要简单得多,而今天闪存使用三大电极”Tour说, “但这是一种新方式制造超常非易变计算机存储器
非挥发性存储器不同于易挥发随机存取计算机存储器,当系统关闭时这些存储器往往会丢失数据前一保留信息 即使电源关机
现代存储芯片包含数项需求举例说,它们必须同时以较高速度写读信息,并必须持有最大量数据芯片应持续很长时间并显示极佳数据保留同时消减电量
两部电影显示赖斯大学新内存设备中局部互连随机分布内部孔
Tour表示赖斯研究者开发的最新设计有望满足所有这些需求,因为与其他现有设备相比,它仅耗用最小功率
坦坦内存基于二端系统, 所以它都设置为三维内存栈甚至不需要二极管或选择器, 使它成为最易构建超感应存储器这将是高清晰度视频存储器和服务器阵列内存需求增长的真正竞争者
层结构中包括多层图文、钽和纳米双金电极之比科学家在编译材料时发现,钽氧化物渐渐损耗氧离子并最终改变底层缺氧纳米半导体从顶部富氧半导体氧完全消失后,钽二氧化物变成纯钽金属
研究队发现三大相关因素 使特殊切换能力 内存控制电压插件 电子通过边界 从Ohmic切换到Schottky联系 反之亦然第二,视氧缺量而定,边界位置可改变空位是原子数组中的漏洞 相信那里有氧离子,但实际上并不存在受电压控制氧缺量运动将边界从钽和钽二氧化物接口移到石墨和钽二氧化物接口第三,流水从钽氧化纳米粒子中吸引氧离子并最终稳定负电荷生成电场 起二极管作用科学家知道使用钽氧化物存储的可能值,但这些数组大多限千字节使用,因为据知较稠密的存储器经历交叉聊天,结果误读比特数组。
交换接触屏障引起双极切换前赖斯博士后研究者
图形函数屏障不仅防止白金移入钽二氧化物,还阻阻短路图尔表示,有可能在室温下编造钽氧化物存储器并有可能调整控制电压写重写比特数,从而允许大范围切换属性
Wang补充道,对tanlum氧化存储器商业化剩余屏障是开发足够稠密跨栏设备处理分离比特并调控纳米粒子大小
研究合笔者包括Jae-Hwang Lee,前赖斯研究科学家和马萨诸塞大学机械工科助理教授GedengRuan、Yang Yang、Yongsungi和Namdong Kim,大米大学博士后研究
旅游T.T.和W.F.亚博网站下载Chao化学教程和素材科学、纳米工程学和计算机科学教授也是赖斯理查E成员亚博老虎机网登录小型纳米科学技术学院亚博老虎机网登录Wang是韩国大学科林理工学院理工学院助理教授
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