艾克斯顿是半导体行业沉积设备的领先供应商，已与德国Erlangen的Fraunapp亚博体育hofer IISB研究机构合作，使用新的AIXTRON 8x150 mm G5WW气相外延（VPE）系统开发150 mm碳化硅（SiC）外延工艺。
AIXTRON的行星反应器®工具将于2014年第四季度安装在IISB洁净室实验室。
弗劳恩霍夫IISB部门材料负责人Jochen Friedrich博士评论“通过这一亚博网站下载合作关系，我们希望通过将我们在制造SiC外延层方面的工艺技术与AIXTRON的SiC设备专业知识相结合，进一步加快150 mm SiC技术在行业中的应用。我们将使用G5WW生产系统在印度IISB工厂进行工艺优化和演示埃尔兰根。”app亚博体育
Fraunhofer IISB对低缺陷密度SiC外延工艺有了基本的了解，这是制造高压SiC器件的基础。特殊的表征技术，如室温光致发光成像和选择性缺陷腐蚀已经发展起来，并适用于夫琅和费IISB的SiC材料特性。在其实验室中，可以加工和表征完整的碳化硅原型装置。
Frank Wischmeyer博士，美国艾克斯顿电力电子公司副总裁“基于Fraunhofer IISB在SiC外延技术和表征方面的全球公认经验，我们将联合使用最先进的G5WW生产工具优化150 mm SiC晶片的外延生产工艺。合作的目标是演示大批量生产工艺解决SiC功率器件的SiC材料要求。通过共同努力，我们确实支持艾克斯顿从2015年起，全球客户将从100毫米碳化硅加工技术转向150毫米碳化硅加工技术，以实现未来碳化硅功率器件的高效经济制造工艺。”
如今，各种SiC器件，如肖特基二极管和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）用于计算机服务器和电视的开关电源、太阳能逆变器和UPS、医疗设备或通勤列车的高效功率转换器。为了促进SiC在电力电子中的广泛应用，降低SiC半导体材料制造的成本150毫米碳化硅技术的实施以器件加工为目标。app亚博体育