中国半导体专业公司Enkris semiconductor, Inc.成功地演示了在200毫米硅(GaN-on-Si)上使用一种高压氮化镓HEMT (high Electron Mobility Transistor)结构德国爱思强公司股价工具。
近年来，GaN-on-Si功率器件由于其在电力电子领域的潜在应用而受到学术界和工业界的广泛关注。由于异质外延GaN层生长在硅上的缺陷，GaN-on- si功率器件遭受了高缓冲泄漏。
最近，Enkris半导体在200毫米的硅上生产了高电压GaN HEMT材料，具有良好的均匀性和低缓冲泄漏，并且具有< 0.5%的厚度均匀性，没亚博网站下载有边缘排除。在特殊条件下，均匀度值还可以进一步提高。
“人们普遍认为，在大尺寸硅衬底上使用氮化镓是实现氮化镓功率器件大批量生产的最经济的方法。然而，大的晶圆弓和高缓冲泄漏阻碍了GaN-on-Si技术的进一步发展。我们在200 mm硅衬底上的工艺表明，通过相对较薄的4 μm缓冲层，可以实现高击穿电压(小于1600 V)、低泄漏的GaN功率器件。它们简化了生长过程，减少了晶圆弯曲，显著降低了外延成本。基于我们应用在爱思强系统上的工艺，GaN-on-Si功率器件在不久的将来可能会达到更高的电压，”Enkris联合创始人程凯博士评论道。
AIXTRON电力电子副总裁Frank Wischmeyer博士说:“Enkris’s
取得优异的层状质量和材料性能的显著成就表明
我们的技术在高压GaN HEMT应用中的能力。我们的金属
技术使大直径宽带隙半导体的集成成为可能
硅基板。德国爱思强公司股价是否致力于支持电力电子行业
向高容量200mm GaN-on-Si器件制造迈进。”