应用材料公司今天亚博网站下载推出了Endura®VENTURA(TM)PVD系统,可帮助客户降低制造较小,较低功耗,高性能集成3D芯片的成本。
该系统结合了Applied公司最新的创新技术,采用业界领先的PVD*技术,可以在透硅通道(tsv)中沉积薄的、连续的屏障和种子层。Ventura系统还独特地支持在批量生产中使用钛作为替代屏障材料,以亚博网站下载降低成本,证明了应用公司的精密材料工程专业知识。随着Ventura系统的推出,Applied正在扩展其用于晶圆级封装(WLP)应用的综合工具集,包括tsv、再分配层(RDL)和Bump*。
tsv是垂直制造更小、更低功耗的未来移动和高带宽设备的关键技术。通孔是通过硅片的短垂直互连,将器件的有源侧连接到晶片的背面,为多个芯片之间提供最短的互连路径。集成3D堆叠器件需要大于10:1的宽高比TSV互连结构与铜金属化。新型Ventura工具通过在材料和沉积技术方面的创新解决了这一难题,使tsv的制造比以前的行业解决方案更具成本效益。亚博网站下载
“建立15年的铜互连技术领导,Ventura系统可以制造强大的高纵横比TSV,与铜互连PVD系统相比,节省高达50%的屏障种子成本,”副总裁Sundar Ramamurthy博士说应用材料的金属沉积产品总经理。亚博网站下载“这些创新提供了更高的性能和更具功能性,但紧凑型芯片封装,功耗较少,以满足领先的计算需求。客户正在实现这一新的PVD系统的好处,并符合批量制造的资格。”
为了支持高产量3D芯片的制造,Ventura系统引入了先进的电离PVD技术,确保了屏障和种子层的完整性,这对填充间隙和互连可靠性至关重要。这些技术的发展极大地提高了离子方向性,使金属层能够沉积到通道深处,从而实现坚固的tsv所需的无空隙填充。随着方向性的提高,可以实现更高的沉积速率,同时所需的屏障和种子材料的数量可以减少。Ventura系统的这些特性以及钛作为替代屏障的采用,有望提高设备的可靠性,并降低TSV金属化的总体拥有成本。
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