SENTECH Instruments在夫琅和费IISB使用的先进ICP蚀刻系统

SENTECH仪器开发了先进的PTSA(平面三螺旋天线)电感耦合等离子体源，为ICP等离子体蚀刻机提供了低损伤、高速率蚀刻的核心等离子体技术，并用于ICPECVD低温沉积系统。

直到最近，SENTECH Instruments公司才通过ALD和等离子体增强ALD系统扩展了其ICPECVD处理，从而能够沉积高度共形和致密的薄金属氧化物和金属层。

位于Erlangen的Fraunhofer集成系统和设备技术研究所(Fraunhofer IISB)购买了一种灵活、多功能、全自动的SENTECH ICPECVD系统，可以从卡带中加工出相当多种类的基片，如不同直径的硅晶片、薄晶片和厚晶片。

计算机控制的沉积系统是建立一个真空盒装载站，一个4端口真空转移室和一个SI 500d ICP沉积模块，留下2端口可用于未来的扩展。大量的基片类型是一个真正的挑战，因为它需要一个特殊的磁带和载体系统。

此外，保证的工艺不仅包括氧化硅、氮化硅和氮化硅层的沉积，还包括低温(例如130°C)高质量TEOS-SiO2的沉积。因此，采用正硅酸乙酯盒对si500d ICP模块进行扩展，以提供液体前驱体。

此外，还建立了沉积团簇，用于沉积p型和n型掺杂的薄αSi层。

ICPECVD系统SI 500 D提供的沉积具有高质量薄膜的低损伤涂层，即使在低于100°C的低温。Fraunhofer IISB的SI 500 D允许沉积SiO2, Si3N4, SiC，掺杂和未掺杂的非晶硅薄膜。通过在标准系统配置中增加一个液态正硅酸乙酯前驱体供应系统，成功地建立了低温正硅酸乙酯基SiO2薄膜的沉积。

SI 500 D是为了科学发展和涂层技术服务的扩展而购买的，由Anton Bauer博士领导的技术部门。引用鲍尔博士;Fraunhofer IISB对快速高效的安装工作、系统的大功能和正在演示的SI 500 D等离子沉积系统的技术结果非常满意。”

特别是新型正硅酸乙酯基SiO2的低温沉积是该部门工作的一个重大进展。Fraunhofer IISB已同意在未来与SENTECH Instruments在ICP沉积技术方面进行密切的技术合作。

森泰克仪器是一家领先的蚀刻和沉积等离子体工艺技术设备和基于椭偏的薄膜计量仪器供应商。app亚博体育