Imec系统领先纳米电子学研究中心今天宣布它成功展示了三五复合半导体FinFET设备集成三百毫米硅裂变过程
成绩展示了向高密度复合半导体对硅进行单片集成的先进多式CMOS设备制造进度300毫米和未来450毫米高容量瓦突破不仅使CMOS持续缩至7nm和7nm下位,而且还使混合CMOS-RF和CMOS-opegy
据我们所知,这是世界第一个功能化CMOS兼容三五FinFET设备处理三百毫米宽带,An Steegen高级副总裁IMEC核心CMOS表示展示技术为高容量生产中当前最新Si-FinFET技术的可行下一代替代
智能移动设备扩散和用户对带宽和连通性期望日新月异,将驱动对软件和硬件提升的持续需求,从网络向数据服务器和移动工具扩展硬件核心将是新流程技术,允许提高电效CMOS晶体管并增强集成性,提高功能水平提示进程技术,使多功能设备分布于目标电路操作范围,实现系统性能最大化
imec逻辑研发主管Aaron Thean评论道 :“过去十年间晶体管缩放标志数度过程技术飞跃以提供性能和功率提高聚硅门以45nmCMOS技术替换表示晶体管新材料集成中的重大偏差非硅和硅设备组合能力可能是下一个戏剧晶体机脸部提升,破解近50年全硅压数CMOS工作代表向新范式迈出重要的赋能步骤
亚博网站下载高密度多式晶体管合用最优粒子能力受到挑战,无法同时使用互不相容的材料和结构,同时保持足够低复杂性和缺陷性Imec软件有选择地用和互换取比差近8%原子拉结不匹配新技术基础是晶体缺陷的侧带陷阱、沟槽结构以及上层过程创新生成三维集成硅FinFET设备显示性能优异
Imec软件下一代FinFETs研究作为imec核心CMOS程序的一部分,与imec关键伙伴合作,包括Intel、三星、TSMC、Globalfoundries、Micron、SKHinix、Toshiba、Panasonic、Sony、Qualcomm、Altera、Fuitsu、NVidia和Xilinx