2013年9月17日
GaN Systems公司是氮化镓功率开关半导体的领先开发商，在9月17日至19日于密歇根州举行的电动与混合动力汽车会议与博览会上发表了一篇关于新型宽带隙半导体及其在汽车电力电子产品转型中的作用的论文。
制造商目前正在设计2018年上市的汽车，与此同时，领先预测者预测氮化镓半导体的价格将与硅器件持平。这一发展将克服硅的局限性，并改变超高压电力电子学。
Julian Styles，美国业务发展总监，将加入超高压行业的主要参与者的演讲，为期3天。Styles将解释半导体材料的技术进步，这预示着新一代电动和混合动力汽车的功率转换器将取代传统的硅。亚博网站下载观众将深入了解基于氮化镓的宽带隙功率半导体如何为超高压电力电子产品带来更高的效率、减轻重量和降低成本等好处。他还将向观众介绍目前和不久的将来可用的设备，并分享驱动电动和混合动力汽车应用半导体技术进步的趋势。
GaN Systems首席执行官Girvan Patterson评论道:“超高压充满了电力电子设备，从电池管理、辅助电源、制动、阀门正时、巡航控制、安全系统、仪表组——所有这些目前都受到硅的限制，因为它不能快速切换或应对高温。新一代氮化镓和SiC半导体克服了这些困难，更轻，更小，更容易包装。这些新设备将带来汽车电力电子领域的巨大进步，并为该行业带来重大机遇。”
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来源:http://www.gansystems.com/