Imec的mn基自形成阻挡工艺提高了电阻电容性能

Imec已经开发了一种基于锰（MN）的自成形屏障（SFB）工艺，可显着提高电阻电容（RC）性能，通过高级互连的电阻和可靠性。它提供优异的附着力，薄膜保形性，内在阻挡性能和降低的线抵抗力。该技术铺设了朝向互连Cu金属化进入7nm节点的方式。

随着互连线的不断缩放，单位长度的导线电阻增大，这对器件性能(RC)产生了不利影响。此外，当使用常规阻挡层减小尺寸时，观察到铜(Cu)截面积的损失增加，从而导致高电阻和互连寿命(电迁移和时间依赖的介质击穿- EM和TDDB)的降低。为了克服互连金属化问题，imec的先进互连技术研发项目探索了新的屏障和种子材料，以及新的沉积和填充技术。亚博网站下载基于mn的SFB被证明是未来互连技术的一个有吸引力的候选者。在模块级，mn基SFB在40nm半间距时比传统势垒增加了40%的RC效益，并且具有良好的寿命性能(与参考的TaN/Ta相比)。

这些结果是与IMEC在其核心CMOS计划中的关键合作伙伴合作，英特尔，Micron，Panasonic，三星，TSMC，Elpida，SK Hynix，Fujitsu和Sony的关键合作伙伴合作。

2013年7月9日至11日，Imec在SEMICON West展出。想了解更多关于imec及其新型低温蚀刻方法，请访问展位1741，南厅。