领先的射频解决方案供应商和技术创新者TriQuint半导体公司今天宣布，全球微波产品制造商RF- lambda开发了基于TriQuint氮化镓(GaN)功率晶体管的高功率放大器新系列。
RF-Lambda的新产品目前正在商用4G系统、国防飞行系统和其他国防/航空航天项目中合格。
研发总监Michael Liu表示，减少零件数量和保持性能是RF-Lambda决定的核心。“我们以前为一个关键客户提供了两个独立的GaAs放大器，覆盖两个频段。通过使用TriQuint GaN，我们能够用单一的GaN HEMT替代这些，并覆盖整个频率范围。这增加了设计的灵活性，同时减少了生产的变化。我们的客户也受益于使用软件来转换频带，而不是物理上改变硬件，同时仍然获得必要的功率。我们的产品支持一些世界领先的国防和商业通信公司。”
RF-Lambda正在开发其他基于TriQuint GaN晶体管的新型功率放大器，包括1-18 GHz, 50瓦器件和0.1-6 GHz的20W/40W解决方案，以及行业领先的RFLUPA0706GE (0.7-6 GHz) 7W放大器。
TriQuint副总裁兼基础设施和国防产品总经理James L. Klein表示:“TriQuint很高兴在这一新系列的高功率放大器中发挥作用。TriQuint GaN产品提供了重要的尺寸、重量和功率优势，国防工业迅速欣赏。由于GaN的优势，我们现在看到更多的商业应用使用它，我们期待着支持RF-Lambda的新程序。”
市场研究机构Strategy Analytics预测GaN将大幅增长。“虽然国防支持的GaN在许多应用中，但通信基础设施的利用率正在快速增长。卫星通信、电力和其他基础设施市场的收入正在大幅增加。Strategy Analytics预测，到2015年，GaN微电子器件市场将以超过34%的复合平均年增长率增长至约1.86亿美元。”
技术细节
TriQuint的新型氮化镓高电子迁移晶体管(HEMT)器件在高漏压工作条件下提供优化的功率和效率。RF-Lambda选择T2G6001528-Q3，在15dB增益时，其典型的功率增加效率大于50%;它的性能可以减少设计中晶体管的数量，这也有利于热管理。这些优点可以减少零件数量，减少电路板空间和降低整体系统成本。
T2G6001528-Q3提供低热阻，无法兰封装。样品和评估板现已提供。联系TriQuint的产品信息，或访问我们的销售协助网页;注册通过TriQuint的时事通讯接收产品更新。
描述 |
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频率
范围
(GHz) |
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线性
获得
(dB) |
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输出
权力
(P3dB) (W) |
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操作
电压
(V) |
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Psat
(dBm) |
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当前的
(马) |
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包
风格 |
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部分
数量 |
| GaN射频功率晶体管 |
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DC - 6 |
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＞15 |
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20. |
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28 |
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42.5 |
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50 |
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4 x5mm |
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T2G6001528第三季 |
来源:http://www.triquint.com