2013年6月11日，爱思强(AIXTRON SE)宣布获得2013年LEDinside极光奖“最高效MOCVD设备”类别。app亚博体育爱思强因其AIX G5+镓氮化硅(GaN-on-Si)技术获奖。
来自爱思强的AIX GaN-on-Si G5+技术
爱思强的系统是由于其生产效率和技术进步而被选中的，并在今年3月获得了CS行业奖。
爱思强首席技术官Andreas Tönnis评论道:“在200毫米硅衬底上生产氮化镓基led是降低芯片制造成本的一条有前途的道路。”“这第二个奖项在短时间内再次证实了爱思强在研发工作中的高度创新，与我们的客户密切合作。”
通过AIX G5+， AIXTRON为现有的AIX G5 HT生产GaN-on-Si器件创建了一个新颖的5 x 200mm技术包，提供业界最大的多200mm MOCVD反应器。美国公司Transphorm等制造商将以爱思强先进的GaN-on-Si专业技术为基础，将生产率从150毫米直径的晶圆扩大到200毫米，目标是充分利用AIX G5+的规模经济。
通过G5 +反应器的新功能满足GaN-on-Si MOCVD工艺的众所周知的挑战，包括改进的温度管理，新的气体入口和腔室复位过程。这导致最小化晶片弓和消除所谓的熔体背部效果，由于专门设计的旋转对称图案而导致的最大工艺稳定性和最高均匀性。