德国爱思强公司股价SE今天宣布，其最新开发的AIX G5+硅上氮化镓(GaN-on-Si)反应器获得2013年化合物半导体制造奖。
Frank Schulte博士，AIXTRON(右)，接受Richard Stevenson, CS杂志颁发的奖项
该奖项表彰围绕芯片制造过程从研究到成品设备的关键创新领域，重点关注推动行业前进的人、工艺和产品。
2013年3月4日，《Compound Semiconductor》杂志编辑理查德·史蒂文森将该奖项颁发给爱思强欧洲副总裁弗兰克·舒尔特博士。“GaN-on-silicon技术将带来电力电子技术的革命，降低led的成本，引发一场照明革命，”他在颁奖典礼上与德国法兰克福的CS欧洲展览会一起评论道。“我认为，AIXTRON AIX G5+是一个制造工具，它在推动这两种变化方面发挥了重要作用，这是一个结合了高吞吐量和令人印象深刻的一致性水平的反应堆。”
爱思强首席技术官Andreas Toennis评论道:“在GaN-on-Si技术的前沿取得了成果，我们非常高兴我们的成就获得了化合物半导体行业的认可。AIX G5+反应器是专门设计用于在硅上生产氮化镓器件的，与蓝宝石衬底工艺相比，它的性能或收率不受影响。”
“GaN-on-Si是未来电力电子应用和高亮度LED制造的一种非常有前途的技术，”Frank Schulte博士补充道。
AIX G5+设计用于处理5个200mm的晶圆，为大面积基片上的GaN器件提供高吞吐量和高成材率增长。