ImecPVA Tepla在三维堆叠IC技术中对TSV空洞的检测方面取得了突破性的成果。在应用了扫描声显微镜对晶片临时(脱键)检测后，他们成功地使用了新的先进的GHz SAM技术在晶片级检测TSV镀铜后的TSV空洞。他们将继续研究高频扫描声学显微镜在非破坏性亚微米孔洞检测中的适用性。
最初的合作重点是开发测量技术，旨在检测临时晶圆键合后的空隙，允许对3D晶圆进行适当的返工。临时晶圆(去键合)和薄晶圆处理对于三维堆叠IC技术来说仍然是一个挑战。临时键合过程中界面颗粒和空隙的形成对后续的晶片细化过程产生不yabo214利影响，影响晶片细化性能，影响刀具的长期稳定性和性能。PVA Tepla和imec利用Tepla的autoafer 300工具开发了一种基于200MHz扫描声学显微镜(SAM)的自动foup-to-foup，晶圆级工艺。
在演示了界面粒子和空隙的无损检测后，imec使用PVA Tepla的高分辨率GHz频率SAM工具，在镀后立即成功检测出直yabo214径5µm、深度50µm的tsv中的空隙。今后的工作将集中在进一步完善过程和实现GHz SAM能力，以提高空间探测分辨率。此外，imec和PVA Tepla将研究GHz SAM在TSV中检测亚微米空洞的适用性，并研究与3d技术相关的其他方面，如凸点连接质量。