GaN增长Si(111)的挑战,尤其是对领导成长,是众所周知的同时控制。
Cooldown-assisted层开裂由于高强度压力是可以预防和晶体质量可以提高复杂的夹层。全世界许多机构已经在使用LayTec的EpiCurve®TT曲率决议为高质量的氮化镓设备先进大型硅基质。
现在,这段经历被转移到增长Si(001)和Si(110),因为基于氮化镓功率电子产品可以很容易地集成与Si标准电子(CMOS),可在大尺寸300毫米。
在国际研讨会上氮化硅半导体(日本,2012年10月),乔纳斯Hennig奥拓-冯-格里克大学的马格德堡(德国)报道的高性能氮化镓HEMT与高度优化的夹层结构在Si(001)来控制压力和缺陷密度[1]。
根据海宁,原位生长监测Epi -曲线®TT应变工程是一个很好的帮助。图1显示了温度(红色)和先进的决议曲率(黑)测量,图2 -三个波长的反射率测量。很明显振荡法布里-珀罗在633 nm(蓝色)和950海里(红色)与曲率的顺利发展的相关性显示出高质量的氮化镓。此外,在夹层的增长,当温度被击落,增加abrubt曲率可以观察到(图1)。
三个结合反射信号有助于确定增长率和增长参数调整。此外,405 nm反射(图2 -黑色)提供了信息结构界面质量。
奥拓-冯-格里克大学工作和其他机构使用LayTec现场工具对硅的应用表明,氮化镓的质量/ Si可以显著提高了先进的曲率监测结合多个波长反射。LayTec骄傲是技术转让的一部分从Si(111)导致增长Si(001)和Si(110)在电力电子。