Imec、比利时纳电子学研究中心和Synopsys对此,Inc .)全球领袖加速创新的设计、验证和制造的芯片和系统,今天宣布,他们已经扩大合作领域的计算机辅助设计技术(TCAD)在soi下一代FinFET技术。
此次合作建立在14纳米和其他几个工艺几何的广泛工作基础上，并将校准Synopsys的Sentaurus™TCAD模型，以支持下一代FinFET设备。此次合作将包括新设备架构和材料的3d建模，这将使半导体行业继续提供性能更高、功耗更低的产品。亚博网站下载
“我们的重点是解决10纳米及以上的半导体器件和材料的挑战，”imec, Inc.逻辑项目主管Aaron Thean说，“与TCAD市场和技术的领导者Synopsys合作，帮助我们最大限度地扩大我们先进研究项目的影响和影响范围。”
Imec正在与领先的集成电路公司合作，研究先进的CMOS缩放技术。超越特征尺寸缩小的设备缩放需要一系列新技术的研究，包括新材料、设备架构、三维集成和光子学。亚博网站下载imec和Synopsys的合作重点是基于finfet和隧道fet (tfet)的新型器件架构的开发和优化。在本周举行的IEEE国际电子器件会议(IEDM 2012，旧金山，美国，2012年12月8-10日)上，imec发表了一篇关于使用压力源来提高载流子迁移率的论文，这对10纳米及以上FinFET器件的规模至关重要。通过使用Synopsys的TCAD工具获得的见解和理解将使imec加速这一研究。
Synopsys硅工程集团总经理兼高级副总裁Howard Ko表示:“与imec的扩大合作使我们能够扩展Synopsys行业领先的TCAD仿真工具，用于下一代FinFET设备建模和开发。“Imec以其专业知识、卓越的研究设施和行业重点而享誉全球，我们的合作将有助于进一步推进我们的TCAD解决方案。”
来源:http://www2.imec.be/