在本周的IEEE国际电子设备会议（IEDM 2012）中，IMEC解决了超越硅通道FinFET的关键挑战。IMEC表明，通过在应变松弛缓冲器（SRB）上生长非Si通道，可以通过在应变缓冲缓冲（SRB）上升高，并表现出技术的优异可扩展性潜力来提高沟道迁移率。此外，IMEC揭示了对高迁移型GE和III-V通道的栅极堆叠迁移率的独特影响氧化物俘获的见解。
在没有高绝缘界面阻挡层（例如SiO2）的情况下，通道中的载流子可以直接与高k区中的边界陷阱（BT）相互作用。
对于逻辑器件技术，该行业以前使用过SiGe源/漏极压力源来增强SI通道移动性。然而，由于置于依赖性缺陷，该过程达到其可伸缩性限制。在IEDM 2012，IMEC通过SI翅片更换过程向1nm / 10nm和7nm节点朝着1nm / 10nm和7nm节点展现出优异的可扩展性。与紧张的Si通道（*）相比，IMEC也在SiGe 75％局部应变缓冲缓冲液上产生显着的移动性提升（至少50％）。
然而，最近的工作导致III-V和GE MOS装置的氧化物半导体接口陷阱的密度降低，IMEC呈现了载流子的额外捕获的新证据，即在这些非Si器件的栅极电介质中。首次，IMEC显示了这种氧化物边界陷阱对器件性能的不利影响。IMEC的研究表明，可以使用AC-GM（AC跨导）技术探测近接口（快）氧化物疏水阀。据信浅（快）氧化物陷阱负责非Si MOSFET导通状态依赖性跨导。这是违反频率不变性的先决条件，可以在电路级别发布一个重大问题。IMEC还使用TSCIS（通过电荷注入和传感）技术进行高k电介质中的慢边框陷阱。IMEC证明了高k电介质中较慢陷阱的充电，从而导致漂移的阈值电压。结果，对于10年的设备，预测了非常低的过驱动电压（GE / 212MV，INGAAS / 255mV，ITRS规范的〜1/3）。与氧化物边界陷阱的电荷相互作用仍然是朝向非SI器件移动时的挑战。
“随着每一代新技术的出现，挑战都是巨大的。imec一直在提出扩展摩尔定律的解决方案，”imec逻辑项目主管亚伦·西恩（Aaron Thean）表示。“朝着14nm节点及更高的方向发展，我们有信心再次找到解决未来挑战的方法。我们正在研究高迁移率通道材料，如锗和III/V化合物，重点关注两个主要挑战，即如何将非硅材料应用于器件架构，以及如何克服其中一些挑战与钝化相关的门堆基本物理。”亚博网站下载
这些结果是与imec在其核心CMOS项目中的主要合作伙伴合作获得的：Globalfoundries、INTEL、Micron、松下、三星、TSMC、Elpida、SK Hynix、富士通、东芝/Sandisk和索尼。
资料来源：http://www2.imec.be/