来自加州大学的研究团队,Riverside Bourns工程学院开发了一种使用石墨烯多层的冷却技术,以从氮化镓中除去热量,各种应用中使用的半导体材料,从电动汽车到交通灯。
这项新技术为扩大氮化镓电子产品的市场份额和应用铺平了道路。由Alexander Balandin领导的纳米设备实验室研究小组已经证明,使用石墨烯多层膜替代热逸通道的实现可以将氮化镓晶体管的热点温度降低20℃。
通过使用石墨烯(优异的导热体)实现的温度降低可以将晶体管的使用寿命增加10倍,热管理中的突破性变换。
与半导体或金属薄膜相反,少层石墨烯薄膜即使在几纳米厚度时也能保持其优越的热性能。研究小组设计并实现了氮化镓晶体管上的石墨烯-石墨“被子”。与传统的被子不同,石墨烯-石墨被子的目的是带走热点的热量并扩散。
研究团队使用微拉曼光谱测温物,表明热点的温度可以在20℃下在较高功率水平下操作的氮化镓晶体管中的20℃。使用计算机模拟,该团队发现石墨烯Quilts的性能在具有高耐热性的基板上的氮化镓晶体管中可以更高。
研究结果已在“自然通信”期刊中报道。
来源:http://www.ucr.edu/