ACM Research(上海)有限公司推出了集成的Ultra iSFP，这是该公司最新的半导体生产工具，可提供零损伤的45至65纳米铜互连无应力抛光(SFP)。
Ultra iSFP工具结合了SFP的电化学机制、热流蚀刻(TFE)和超低下压力化学机械平面化(ULCMP)。它集成了所有这些工艺步骤的独特优势，并且不会对核心器件结构造成损害。
利用Ultra iSFP在SiO2基础上形成气隙互联结构提供了许多好处。简单的工艺使常规SiO2大马士革工艺和介电工艺得以利用，确保不需要开发新材料，也不会对超小型互连结构和超薄铜线造成损害。
Ultra iSFP平台具有自动对齐结构，无需硬掩模。通过在超窄的线空间中选择性地创建气隙连接结构，它提供了优越的机械强度来抵抗填料过程中的压力，以及优越的散热热性能。
在Ultra iSFP工艺中，晶圆经过ULCMP工艺，利用端点传感来确保150 nm Cu薄膜的完整，从而不会对核心的低k结构造成损伤。然后晶圆通过清洁刷剥离大颗粒和空间交替相移兆声速清洗过程剥离氧化物和小颗粒。yabo214在非接触式的工具内测量铜厚度后，晶圆片进入SFP工艺室去除阻挡层上的非凹槽铜，然后进行斜面清洗步骤。
在预热后，干净的晶圆进入TFE工艺以去除屏障。然后对晶圆片进行冷却，然后通过设备前端模块，最后到达前端开口统一吊舱。app亚博体育电化学SFP抛光工具提供精确的抛光性能，而不会对低k和极低k介质造成损害。
此外，SFP抛光工艺消除了介质阻挡层和介质层的变形或侵蚀，从而保护了铜/低k或极低k介质免受机械应力损伤，从而解决了铜/低k和铜/极低k介质的集成问题。
资料来源:ACM Research Inc。