2011年1月27日
研究和市场已经宣布的约翰•威利父子公司的书“晶体生长技术:半导体和电介质”提供。
半导体和电介质是两个必不可少的材料中发现手机和电脑,例如,都是由晶体生长。亚博网站下载
编辑对晶体生长技术国际研讨会的组织者,这现成的参考资料是至关重要的阅读材料科学家,化学家,物理学家,计算机硬件制造商,工程师,和那些在化工和半导体行业工作。亚博网站下载他们已经组建了一个国际专家小组目前的挑战,最新的方法和新的应用程序生产这些材料所必需的电子行业使用散装晶体生长技术。亚博网站下载
的内容:
- 一般晶体生长技术的各个方面
- 化合物半导体
- 卤化物、氧化物
- 晶体生长维持能量
- 晶体加工
关键的主题:
第一部分对晶体生长技术的基本概念。
晶体生长的热力学建模流程(埃伯哈德Buhrig,曼弗雷德Jurisch Jrgen科博,黄韧带骨化病例和Ptzold)。
建模的气相生长碳化硅和西班牙大部分晶体(罗马a . Talalaev亚历山大·s·西格尔,尤金·v·雅科夫列夫和安德烈N, Vorobev)。
先进的技术使用振动影响晶体生长的融化(Evgeny诉Zharikov)。
第二部分。半导体。
选择过程的数值分析在定向凝固的硅光电(Koichi Kakimoto)。
描述和控制缺陷VCz砷化镓晶体生长没有B2O3密封剂(弗兰克·m·基斯林)。
砷化镓半导体晶体的生长(Ge)的Heather磁铁技术相结合(Matthias Czupalla彼得•鲁道夫克丽丝汀Frank Rotsch Frank-Michael基斯林和Bernd勒克斯)。
生产批量是基质(Oleg诉žTatinana。Chemekova,海基Helava,尤里·n·马卡罗夫Evgenii n . Mokhov谢尔盖·s . Nagalyuk m·g·兰姆亚历山大·s·西格尔和亚历山大。Zhmakin)。
混乱的相互作用在碳化硅和氮化镓外延生长(Birgit Kallinger约亨•弗里德里希•帕特里克•Berwian Elke Meissner)。
低温生长三元III-V半导体晶体从Antimonide-Based第四纪融化(帕s Dutta)。
碲化镉汞(MCT)增长使用ACRT和液相外延(Peter封口机)。
使用铂金管作为安瓿支持大部分的布里奇曼增长CZT晶体(他Vijayan, Vernica Carceln,和埃内斯托Diguez)
第三部分。电介质。
建模和优化的氧化物晶体生长(斯维特拉娜·e·Demina弗拉基米尔•诉Kalaev亚历山大·t·Kuliev Kirill m . Mazaev和亚历山大。Zhmakin)。
先进材料发展惯性聚变能源(人生)(凯瑟琳·谢弗,安德鲁j . Bayramian约瑟夫·a . Menapace Gregory t . Rogowski托马斯·f·索尔克里斯托弗·a·Stolz史蒂夫·b·萨顿John b . Tassano,彼得•a .席林克里斯托弗·a·埃伯John a .游民,克里斯托弗•P.J.小巴蒂•马克·a .反查尔斯•波特日前范,和布鲁斯·h·t·柴)。
磁光石榴石传感器电影:制备、表征、应用(Andreas洛伦兹彼得•Grnet莫里斯林德纳,Hendryk里歇尔)。
Yb-Doped生长技术和激光特性的三氧化二(Klaus彼得曼瑞格彼得斯,和因Huber)。
持续增长的Alkali-Halides:物理和技术(Oleg Sidletskiy)。
闪烁晶体的趋势(Alexander诉Gektin)
第四部分,晶体加工。
来源:http://www.researchandmarkets.com/