应用材料公司今天亚博网站下载公布其最新的创新通过(TSV)在矽蚀刻技术其应用Centura®西尔维亚(TM)蚀刻系统。
一种新的等离子体源提高硅蚀刻率40%以上通过结构快速创建高纵横比光滑,垂直的概要文件。这个基准测试性能使西尔维亚系统通过腐蚀带来的成本低于10美元每片第一次帮助芯片制造商给市场带来先进的3 d-ic[1]设计,将电力未来高性能的移动设备。
“新西尔维亚系统应用的一个例子的重点发展技术来降低成本的TSV制造——这一直是一个重大障碍的普遍实现这一重要的技术,”艾莉Yieh说,应用材料的蚀刻副总裁和总经理的业务单元。“西尔维亚系统的无与伦比的性能已经热情地接收到我们的客户,并帮助他们把TSV技术大批量生产。”
新ultra-high-density等离子体源增加了西尔维亚系统的硅蚀刻率40%以上,同时保持系统的商标几乎精确配置文件控制和胎侧scallop-free——随后沉积高质量的关键班轮和填补电影。此外,惊人的速度和精度的西尔维亚系统使它适合其他厂商3 d-ic包装应用,如“通过揭示腐蚀”,要求快速、高度统一删除大部分硅晶圆背面的。
据市场研究公司Gartner迪讯,应用材料公司是排名第一的TSV腐蚀和wafer-level包装市场基于全球收入系统亚博网站下载出货量在2009年[2]。应用的唯一完整的工具集所有TSV制造流程,包括腐蚀,心血管疾病[3],PVD[4],儿童早期开发[5],晶片表面准备和CMP [6]。以其独特的能力来验证公司Maydan技术中心的完整流程,应用可以为客户降低风险,加快学习,保证平稳过渡从研发到批量生产。
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