2004年11月25日
Novellus系统公司。，全球半导体行业的先进沉积，表面制备和化学机械平面化（CMP）工艺的生产力和技术领导者，今天宣布推出Altus DirectFill - 一种单一系统解决方案，旨在满足65次满足联系和盖通需求nm及以下。利用Novellus的生产证明的Altus平台，Diredfiles消除了常规钛/氮化钛（TI / TIN）工具。与现有流程相比，这种先进的插头填充技术可以减少接触电阻（RC）和较低的总体所有权（COO）的成本（COO）减少50％或更多。
Novellus'Altus Direct填充通过用单个系统更换标准多工具，Ti / Tin / W方法简化钨沉积过程。This system integrates an advanced preclean process in one process module, followed by Novellus’ proprietary, pulsed nucleation layer (PNL™) deposition of tungsten nitride (WN) in a second module, and then a combined PNL and chemical vapor deposition (CVD) tungsten (W) deposition in a third module. The multi-station sequential deposition process modules used for WN and W deliver high productivity and process reproducibility.
Altus DirectFill技术提供了几个关键的技术优势。首先，钨氮化物屏障表现出原子层沉积（ALD）的形全，并且基本上薄于Ti / TiN衬管屏障它取代，允许更多的接触填充钨钨。钨氮化物/低电阻率钨直钨工艺可以在45-NM节点上将接触插头电阻降低多达50％。另外，PNL钨氮化物为钨提供了优异的屏障特性，并粘附到各种介电材料上。亚博网站下载所有过程温度低于400°C，提供与未来过程集成要求的兼容性。与竞争性系统不同，Altus DirectFill技术解决了高级节点的填补问题而不会影响电阻率。
“Altus DirectFill结合了一个创新的新型号，以获得经过验证的Novellus平台的优势，”Novellus钨业业务部长副总裁Karl Levy表示。“与传统的PVD / MOCVD处理序列不同，我们的集成单架构技术方法可以增强电流钨沉积应用，例如接触和位线，同时实现未来的应用，例如电容器电极和金属栅电极，其中氮化根和钨等目前正在评估。它是一个在没有牺牲生产率的情况下承受显着的技术优势，“征收。
新工具有200 mm（概念二ALTUS DirectFill）和300 mm（概念三ALTUS DirectFill）配置。Novellus积极参与联合开发项目，并与全球二十多家客户合作，为广泛的应用和新兴技术开发流程。
更多关于钨钨， 点击在这里。