Imec系统向20nm半曲互连通化电函数线嵌入二氧化硅
imec程序主管Zsolt Tokei表示:「我们为世界首开发处理小型双行互连通而感到非常自豪。Spacer定义(或自对齐)双模式最近引起兴趣,因为FLASH未来存储器模式技术内存公司会从这一最新结果中得益
相连量向20nm半投球面临多重挑战需要双型平面图,因为单打印无法实现金属线因此,实际设计结构拆分和对齐不同掩码需要求解填充20nm线使用标准物理蒸发沉降TaN/Ta基础集成此外,线端粗糙性控制随着进一步扩展而变得越来越困难。最后,模型栈需要工程优化粘合
Imec演示二千米半投铜线并配有TiN金属硬膜模式设计基于牺牲双硬掩码并使用三张照片(CORE、TRIM和PATCH)和四阶梯CORE照片定义稠密线40nm半投影,后裁剪、拉特和空间员沉降产生20nm半投射环路TRIM大开关截取空间环路PATCH定义最终布局、电路连接和联结板重叠控制对最终实现设计测试模式至关紧要平面平面精确控制基集成法用于实现无空白填充
电流分解特性测量并结果非常令人鼓舞,因为分解场接近二维和二维电封层固有的二维分解特性
与imec核心CMOS程序关键伙伴合作获取这些结果:Intel、Micron、Panasonic、三星、TSMC、Sony、Fujitsu、Infineon、Qualcomm、STMicroe