IMEC已经实现了大区域（70厘米2）外延太阳能电池的效率高达16.3％。在大区域低质量底物上达到了高达14.7％的效率，显示了薄膜外延太阳能电池对工业制造的潜力。在IMEC的硅太阳能电池工业隶属关系计划（IIAP）中实现了结果，该计划探索和开发了高级工艺技术，目的是降低硅的使用，同时提高了细胞效率，从而进一步降低了每瓦峰的成本。
除了基于晶状体的散装硅太阳能电池外，IMEC还旨在开发外延薄膜（<20µm）的硅太阳能电池，在其硅太阳能电池内生长在低成本太阳能电池中的硅载体上。通常类似于批量过程，并且可以在现有的晶体硅太阳能电池生产线中使用有限的设备投资来实施Epi-Process。app亚博体育为了改善细胞活跃部分中光的光限制，开发了一个埋入的多孔SI反射器。
IMEC在高度掺杂的高质量底物以及低成本的UMG（升级的冶金等级），多晶体式SI底物上实现了20ìm厚的高质量外延硅的堆叠。P+型后表面场（BSF），P型碱基和N型前侧发射极是通过化学蒸气沉积生长的。光捕获方案由前表面的等离子体纹理组成，并结合位于外延/底物界面处的内部多孔硅bragg反射器。高质量底物上的细胞与铜板接触。对于在低质量底物上制造的细胞，将金属化实现，这是丝网印刷，这是扩散前地面场（FSF）和氮化硅抗反射涂层形成后的最后一步。通过这种方式，外延生长的“晶圆当量”底物与标准工业（散装）太阳能电池处理完全兼容。
“这些在高质量底物上的效率高达16.3％，低成本基质的效率高达14.7％，表明该技术的工业水平效率已达到最佳效果；”IMEC能源/太阳能计划主任Jef Poortmans说。“通过实施基于铜的接触方案，我们可以进一步提高效率，从而使低成本晶片上的外在薄膜太阳能电池成为一种有趣的工业技术。”