应用材料，Inc亚博网站下载。今天庆祝其应用Endura平台20周年，该平台是半导体行业历史上最成功的金属化系统。Endura系统通过提供突破性的技术和远超现有能力的可靠性、可服务性和灵活性，彻底改变了半导体金属化。过去20年生产的绝大多数微芯片都是使用Endura系统生产的，这些系统已经在全球范围内运送给了100多家客户。
“当endura制度首次发布时，它在台湾半导体制造有限公司业务高级副总裁Mark Liu博士说：”当前释放了endura制度时，它为PVD提供了新的技术性能和可靠性。“”我们依靠Endura系统及其连续我们所有工厂的创新都要进行广泛的集成PVD和CVD应用。“
东芝半导体公司内存部门副总裁Yasuo Naruke表示:“在我们购买第一套Endura系统近20年之后，该平台继续满足我们对金属化的高标准。”
endura系统继续为业界的介绍设置新的基准，这是目前两种创新技术创建下一代智能设备所需的前沿芯片的创新技术。应用的Endura Avenir系统使芯片制造商能够利用最新的金属栅极晶体管技术，自20世纪70年代以来晶体管设计的最大变化之一，在其最先进的高性能逻辑设备中。新的应用endura ILB系统在原子层沉积（ALD）中推进了最先进的，以使客户能够缩小22nm和超越逻辑和内存芯片的速度临界接触结构。
“今天推出的创新将使我们的客户保持在前沿，使他们能够推动摩尔定律的发展，”应用材料公司董事长兼首席执行官迈克·斯普林特(Mike Splinter)说。亚博网站下载“应用公司在技术扩展和生产力升级方面的持续投资，使Endura在许多代芯片中一直处于半导体制造的前沿。在过去的20年里，超过85%的Endura系统至今仍在运行，这是对应用公司工程师们的创新和奉献精神的证明，他们生产的系统是半导体行业过去、现在和未来的重要组成部分。”
今天和未来的endura创新
新应用的Endura Avenir RF PVD1系统依次沉积形成金属栅晶体管心脏的多个金属层。使用专有的射频增强PVD技术，Avenir系统可以沉积亚纳米薄膜，具有精确设计的接口，以最大限度地减少泄漏电流和最大限度地提高开关速度。除了RF PVD，该系统灵活、高生产率的平台可以配置多种PVD、CVD2和ALD技术，使其能够在单道工序中制造所有金属栅薄膜堆栈结构。Endura Avenir系统已经在领先的逻辑和代工厂客户中实现了22nm试生产记录工具的地位。
最小化晶体管或存储器单元之间的互连的电阻对于制造可靠，高速微处理器和存储器芯片是必不可少的。32nm以下的关键挑战是找到一种经济效益的方法来沉积一个非常薄的屏障薄膜层，以便随后的钨填充。应用的Endura ILB PVD / ALD系统使用专有的激进增强的ALD（RE-ALD）技术符合这一挑战，以沉积超薄的鲁棒TIN3薄膜，即使在20：1以上的横向比的非常深的沟槽中，也可以具有显着均匀性。该系统目前是主要逻辑制造商的录制工具，正在用于高级DRAM开发。