ASM国际N.V.（纳斯达克股票：ASMI和EURONEXT AMSTERDAM：ASM），今天宣布了来自领先的逻辑客户的两个新的PULSAR订单。一个新客户购买了一个系统以开发下一代高级高K金属大门，而第二个系统是现有客户计划中的重复订单，将PULSAR在其32 nm High-K制造坡道中使用。这两个工具都包括多个PULSAR HIGH-K反应器。
ASM的Thermal Products业务部门总经理Peo Hansson说：“这两个销售反映了我们的信念，即高级逻辑客户将我们的高功能流程视为基于Hafnium的High-K Gate Stacks的标准。”“在与新客户的决策过程中，Pulsar能够证明与基于Hafnium的Gate Dielectrics的竞争工具相比，薄膜性能优势。除了过程开发之外，我们还看到更多的客户从开发中迁移到初始数量制造，使用我们的Pulsar ALD生产工具。”
Pulsar ALD反应器利用了独特的固体化学源递送系统，该系统能够在原子厚度尺度上最有效，最精确的氧化物（HFO2）和Hafnium Silicon氧化物（HFSIO）膜（HFSIO）膜。它通过其一次沉积一个原子层的ALD工艺使高级集成解决方案降至22 nm及以下。实施高K膜扩展了晶体管技术缩放，因为高K材料具有比氧化硅的介电特性要高得多。亚博网站下载PULSAR的High-K电介质ALD沉积过程可以更快，更小的芯片，非常适合需要低功耗的高性能服务器和高级产品，例如笔记本电脑，PDA和智能手机。