ASM International N.v.（纳斯达克：Asmi和Eurolext Amsterdam：ASM），推出了其PowerFillTM外延硅（EPI SI）沟槽填充过程。新工艺使得能够使用掺杂的外延硅无效地填充深沟。动力填充是一种能够实现的过程技术，因为它比竞争流程快3倍，降低了制造成本并在电力装置设计中创造了额外的自由度。
Fairchild Semiconductor是第一个有资格获得其先进电源管理设备的过程的客户，在韩国完成验证。对于本申请，ASM的动力填充过程使得能够在较小的占地面积中实现电源管理装置和电路，从而减少了模具成本和形状因子。
“离散功率MOSFET的要求要求较低的导通电阻，较低的栅极电荷和更高的电流能力，”Fairchild的工艺技术总监C.B. Son。“epsilon工具的动力填充性能令人印象深刻，并且是一个重要的支持因素，因为我们努力整合了这种高级沟槽EPI过程，允许我们由于其在过程吞吐量的显着提高而实现了相当大的成本节省。”
与需要多次通过外延反应器的替代过程相比，以实现类似的装置结构，在ASM epsilon系统中开发的创新沟槽填充技术使得在单个沉积步骤中能够在单个沉积步骤中进行无效的EPI过程。单步过程能够对外延Si工艺进行三倍，同时保持无效填充特性，良好的均匀性和高产量。“这种高速沟槽填充过程的发展是ASM如何与客户合作的另一个例子，以实现高批量生产中的先进材料和外延流程，”艾姆EPI技术总监Shawn Thomas表示。亚博网站下载