今天,IMEC了世界上第一个功能性22纳米CMOS存储器细胞用EUV光刻。0.099µm²SRAM细胞由FinFETs和接触和使用ASML metal1层印刷的完整场极端紫外线(EUV)α演示工具(ADT)。超微电路结构用材料应用最先进的沉积系统。这些结果提出了在IMEC的核心合作伙伴回顾一周,参加了-尽管经济低迷的250名专家代表IMEC的工业合作伙伴的CMOS扩展程序。
新的纪录细胞的密度是0.099µm²,代表47%的面积比例相比0.186µm²IMEC的32纳米细胞去年报道。front-end-of-line过程,IMEC利用其high-k /金属门FinFET平台。FinFETs包括HfO2介质和锡的金属门和NiPt硅化物源/漏。最低活跃的翅片间距90海里。FinFET层印刷使用ASML 1900我浸没式光刻工具。接触的金属化孔实现使用应用材料接触最先进的处理模块夹层屏障Ti和锡钨之前填补和化学机械抛光。亚博网站下载
32纳米细胞相比,只有接触孔印刷与EUV工具,IMEC现在使用ASML ADT模式都与一个~ 45纳米的大小和metal1层(60纳米宽度和46纳米空间)。结果显示良好的覆盖性能。和单一模式的方法进一步强化了EUV作为一个具有成本效益的解决方案。
首席运营官吕克·范抛在IMEC:“我们成功的22纳米制造SRAM细胞与EUV是一个重要的里程碑,为22纳米的发展过程,和路线图的EUV光刻。
这种SRAM单元集成显示EUV光刻技术制作优秀进步作为一个具有成本效益的单一模式的方法。我们相信EUV仍然是一个候选人使用后期的22纳米技术。
吕克·范举起进一步评论:“我们研究成功的关键是主要的存在在IMEC的工具供应商允许我们使用最先进的工具,我们员工的合作研究和现场居民从一厂、设备和材料供应商,和欧盟的支持和资助程序PULLNANO。app亚博体育共同协作,半导体行业能够不断创新和遵循摩尔的势头。”
在其核心程序,IMEC与领先的集成电路公司一起对未来CMOS技术。主要合作伙伴2009年英特尔、微米、松下、三星、台积电,尔必达,海力士,力晶半导体,英飞凌,NXP、高通、索尼、ST微电子。