在国际研讨会上氮化硅半导体(IWN)于10月6 - 10在瑞士,教授Misaichi竹内的立命馆大学、日本,提出现场曲率测量获得LayTec的EpiCurve®R TT计量系统金属有机化学气相沉积反应器。在200年德国爱思强公司股价RF-S
图1:曲率测量:黑色曲线- 1步增长TMAl 0秒的预处理;红色曲线- 1步增长TMAl 150秒的预处理;绿色曲线- 2步增长,TMAl = 0秒,NH3在退火;蓝色曲线- 2步增长,TMAl = 0秒,没有NH3在退火
传感器结合了晶片鞠躬,监测温度和增长率与光谱反射率测量。竹内教授和他的团队使用的测量系统开发一个新的增长方法无AlN层蓝宝石和厚厚的n-AlGaN AlN /蓝宝石以优化AlGaN-based深紫外线发射器和高压沃甘/沃甘HEMTs。
对这些设备的最简单的方法提高层质量,减少值,XRD的半最大值宽度即是生长厚层。同时,开裂引起的应变松弛在关键厚度必须避免。竹内控制应变,教授使用EpiCurve®R TT监控晶圆曲率,光谱反射率(λ= 330 - 750 nm)和真正的晶片温度同时进行。测量使他遵循纳米surface-morphological进化和理解的影响参数对临界厚度增长。
这项工作表明,Al-polar取向生长有一个倾向于提高晶圆鞠躬,薄膜应力,而N-polar没有增长。竹内教授这方面的知识,开发了一种新的两步增长与NH预处理阶段组成的过程3或TMAl控制表面极性,种子层生长、退火和生长阶段产生低应力Al-polar电影。
图1显示了曲率数据和样品单步增长TMAl预处理0秒(包括一些Npolar谷物)和150秒(完全Al-polar),并与没有NH两步增长3在退火TMAl = 0秒播种层。twostep增长的表面极性Al-polar样本已统一。然而,应变与Al-polar相比这两种样品都是有效减少样本TMAl = 150秒。因此,低应变与Al-polar表面形成了电影。此外,研究显示,(002)和(102)XRD应用价值大大提高了两步增长。
IWN,竹内教授提出的结果AlN层高度掺杂沃甘下插入层生长蓝宝石上。在这种情况下,晶片鞠躬,开裂严重的问题,因为高度Si-doped n-AlGaN层增强凹鞠躬。EpiCurve®R TT检测相关doping-induced拉伸应力的积累。竹内教授可以直接关联这个效果让其它值XRD的半最大值宽度。