2008年10月23日
蓝绿色,紫光发射器基于III-nitride化合物通常是捏造利用InGaN合金活跃地区的光电设备。大多数这些材料都增加了摘要化亚博网站下载学蒸汽沉积(金属)和分子束外延(MBE)。
室温photo-luminescence光谱HVPE种植材料:甘,旅馆,和InGaN各种成分。亚博网站下载
TDI,牛津仪器公司,最近先进氢化物气相外延InGaN (HVPE)技术的发展。HVPE最出名的是它的生长能力较低的缺陷,裂纹免费的,高质量的准大部分GaN和AlN材料在一个相当高的增长率高达100µm /小时。亚博网站下载
基于GaCl3包括3nh3开发的系统,新的HVPE技术团队在牛津Instruments-TDI能够精确地控制InGaN增长率降至1 - 2µm /小时和铟含量高达43%。
x射线衍射技术的倒易空间映射(RSM)是用于研究的应变弛豫InGaN层。研究表明,低内容InxGa1-xN (x ~ 0.08到0.15)层要么是完全或部分放松,紧张与放松强烈取决于层厚度和完全放松高等内容层(x ~ 0.2到0.4)。结果最近发表于第二国际研讨会在伊豆III-Nitrides增长,日本和2008年国际研讨会在蒙特勒氮化物半导体,瑞士。
“这项研究进一步证实了HVPE生长高质量的能力InGaN蓝绿色led生产层和扩展其能力在不久的将来,“亚历山大Syrkin博士发表评论,副主任和组长InGaN TDI项目。
最近,研究由牛津Instruments-TDI HVPE InGaN增长获得的大量资金从美国政府机构。“我们非常兴奋和荣幸美国政府研究项目的一部分。我们坚信,我们只是在发现了大量潜在的边缘HVPE技术的固态闪电行业在不久的将来,“评论由伯纳德·斯坎兰总经理牛津Instruments-TDI。